[发明专利]线状构件及其制造方法在审
| 申请号： | 201911413197.0 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111477404A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 末永和史;佐川英之;杉山刚博 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01B11/06 | 分类号： | H01B11/06;H01B7/02;H01B7/17;H01B13/06;H01B13/22 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;金鲜英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 线状 构件 及其 制造 方法 | ||
1.一种线状构件，其具备：
在表面具有凹凸的线状的绝缘体、和
被覆在所述绝缘体的表面的镀敷层，
所述凹凸的平均间隔Sm为20.0μm以下。
2.根据权利要求1所述的线状构件，其具备周围被所述绝缘体被覆的线状的导体，
所述镀敷层作为屏蔽体起作用。
3.一种线状构件的制造方法，其包括：
对线状的绝缘体表面实施粗糙化处理的工序、和
在所述粗糙化处理之后对所述绝缘体表面实施镀敷处理而形成镀敷层的工序，
通过所述粗糙化处理使所述绝缘体表面的凹凸的平均间隔Sm为20.0μm以下。
4.根据权利要求3所述的线状构件的制造方法，其中，利用喷射处理实施所述粗糙化处理。
5.一种线状构件，其具备：
线状的绝缘体、和
被覆在所述绝缘体的表面的镀敷层，
所述绝缘体的从表面至1μm深度区域内的、下述式1所示的结晶度XC为0.512以上且0.685以下，
所述式1中的Ic为所述绝缘体的傅里叶变换红外吸收光谱中的结晶成分的吸收峰强度，
所述式1中的Ia为所述绝缘体的傅里叶变换红外吸收光谱中的非晶成分的吸收峰强度。
6.根据权利要求5所述的线状构件，其中，所述绝缘体由聚乙烯构成。
7.根据权利要求5或6所述的线状构件，其具备周围被所述绝缘体被覆的线状的导体，
所述镀敷层作为屏蔽体起作用。
8.一种线状构件的制造方法，其包括：
对线状的绝缘体表面实施改性处理的工序、和
在所述改性处理之后对所述绝缘体表面实施镀敷处理而形成镀敷层的工序，
通过所述改性处理使所述绝缘体的从表面至1μm深度区域内的、下述式2所示的结晶度XC增加到0.512以上且0.685以下的范围内，
所述式2中的Ic为所述绝缘体的傅里叶变换红外吸收光谱中的结晶成分的吸收峰强度，
所述式2中的Ia为所述绝缘体的傅里叶变换红外吸收光谱中的非晶成分的吸收峰强度。
9.根据权利要求8所述的线状构件的制造方法，其中，所述绝缘体由聚乙烯构成。
10.根据权利要求8或9所述的线状构件的制造方法，其中，所述改性处理通过电晕放电暴露来实施。
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