[发明专利]一种从废有机硅浆渣提取铜和氧化硅抛光粉的方法

权利要求书

1.一种从废有机硅浆渣提取铜和氧化硅抛光粉的方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)往有机硅浆渣中加入稀盐酸、双氧水进行水解反应，反应完毕后将料浆过滤得到有机硅滤渣和氯化铜滤液备用；

2)将步骤1)得到的氯化铜滤液通入旋转电积槽进行电积而得到铜片；

3)将步骤1)得到的有机硅滤渣加水调浆后喷雾干燥得到有机硅粉；

4)将有机硅粉进行焙烧而得到氧化硅粉；

5)将氧化硅粉粉碎得到平均粒度小于0.1μm、最大粒度为2μm的氧化硅抛光粉。

2.根据权利要求1所述的从废有机硅浆渣提取铜和氧化硅抛光粉的方法，其特征在于，步骤1)中有机硅浆渣和稀盐酸的质量比为1：2～5，其中稀盐酸浓度为0.5～2％；有机硅浆渣和双氧水的质量比为100:1～5，其中双氧水浓度为30％。

3.根据权利要求2所述的从废有机硅浆渣提取铜和氧化硅抛光粉的方法，其特征在于，步骤1)在搅拌反应槽中进行，将搅拌反应槽内加入大于三分之一槽的清水后，继续加入有机硅浆渣、稀盐酸以及双氧水进行反应，搅拌反应2～6h，反应终点以将料浆取样过滤并检测有机硅滤渣中的铜含量少于0.1％为准。

4.根据权利要求1所述的从废有机硅浆渣提取铜和氧化硅抛光粉的方法，其特征在于，步骤2)中，旋转电积槽中，氯化铜溶液中的铜离子电沉积在旋转电积槽的阴极表面形成纯度大于或等于99.9％的铜片，氯化铜溶液中铜离子含量低于0.5g/l时停止电积，停止电积后残液返回步骤1)用于补充酸液。

5.根据权利要求1所述的从废有机硅浆渣提取铜和氧化硅抛光粉的方法，其特征在于，步骤3)中，喷雾干燥在超高速离心喷雾塔中进行，喷雾干燥时，超高速离心喷雾塔中离心盘转速为18000～30000转/分，干燥温度为105～150℃。

6.根据权利要求1所述的从废有机硅浆渣提取铜和氧化硅抛光粉的方法，其特征在于，步骤4)在沸腾焙烧炉中进行，焙烧时沸腾焙烧炉中氧含量控制为10～16％，温度为500～850℃，焙烧时间10～90min。

7.根据权利要求1所述的从废有机硅浆渣提取铜和氧化硅抛光粉的方法，其特征在于，步骤5)在气流粉碎机中进行，气流粉碎机中气流磨的分级轮转速7000～12000r/min，气流喷嘴直径2～4mm，气流压力0.6～1Mpa。

8.根据权利要求1所述的从废有机硅浆渣提取铜和氧化硅抛光粉的方法，其特征在于，所述有机硅粉平均粒度小于1μm。

9.根据权利要求1所述的从废有机硅浆渣提取铜和氧化硅抛光粉的方法，其特征在于，所述氧化硅粉的平均粒度小于0.2μm。