[发明专利]锂导电陶瓷氧化物去污方法

权利要求书

1.锂导电陶瓷氧化物材料的去污方法，该方法包括：

在以一种无机盐浓度包含无机盐的第一有机溶剂中浸泡具有第一厚度的表面污染物的锂导电陶瓷氧化物材料，以获得经浸泡的锂导电陶瓷氧化物材料；和

在第二有机溶剂中漂洗所述经浸泡的锂导电陶瓷氧化物材料，以获得去污的锂导电陶瓷氧化物材料，其具有少于第一厚度的表面污染物的第二厚度的表面污染物。

2.权利要求1的方法，其中第二厚度小于第一厚度至少90%。

3.权利要求1的方法，其中所述表面污染物包括一种或多种碳酸盐化合物。

4.权利要求3的方法，其中所述一种或多种碳酸盐化合物包括Li₂CO₃。

5.权利要求1的方法，其中所述无机盐浓度是0.1-1.2M。

6.权利要求1的方法，其中所述锂导电陶瓷氧化物材料是Li₇La₃Zr₂O₁₂ (LLZO)。

7.权利要求1的方法，进一步地包括干燥去污的锂导电陶瓷氧化物材料。

8.权利要求7的方法，其中干燥步骤包括真空干燥去污的锂导电陶瓷氧化物材料。

9.权利要求1的方法，其中锂导电陶瓷氧化物材料是Li₇La₃Zr₂O₁₂ (LLZO)、Li₅La₃Ta₂O₁₂ (LLTO)或Li₆La₂CaTa₂O₁₂ (LLCTO)或Li₆La₂ANb₂O₁₂ (A=Ca、Sr)或Li_1+xAl_xGe_2-x(PO₄)₃ (LAGP)或Li₁₄Al_0.4(Ge_2-xTi_x)_1.6(PO₄)₃ (LAGTP)或钙钛矿Li_3xLa_2/3-xTiO₃ (LLTO)或Li_0.8La_0.6Zr₂(PO₄)₃ (LLZP)或Li_1+xTi_2-xAl_x(PO₄)₃ (LTAP)或Li_1+x+yTi_2-xAl_xSi_y(PO₄)_3-y (LTASP)或LiTi_xZr_2-x(PO₄)₃ (LTZP)、Li₂Nd₃TeSbO₁₂或是其混合物。

10.权利要求1的方法，其中第一有机溶剂是四氢呋喃(THF)、1,3-二氧戊环(DOL)、二甲氧基乙烷(DME)、四(乙二醇)二甲醚(TEGDME)、碳酸乙二醇酯(EC)、碳酸异丙二醇酯(PC)、碳酸二甲酯(DMC)、碳酸乙基甲基酯(EMC)、乙基丙基醚(EPE)、碳酸二乙酯(DEC)、氟化环状碳酸酯(F-AEC)、氟化线性碳酸酯(F-EMC)、氟化醚(F-EPE)、THF、甘醇二甲醚类/聚乙烯醚类（glymes）或其混合物。