[发明专利]FP腔GaN基激光器及其制作方法

权利要求书

1.一种FP腔GaN基激光器，其特征在于：所述激光器的p型表面是不具有脊型结构的平整表面。

2.根据权利要求1所述的FP腔GaN基激光器，其特征在于：所述激光器的外延结构包括依次叠层设置的第一限制层、第一波导层、量子阱层、第二波导层、电子阻挡层、第二限制层以及接触层，所述第二波导层包括发光区和分布于发光区两侧的高阻区。

3.根据权利要求2所述的FP腔GaN基激光器，其特征在于：所述高阻区是通过对第二波导层内分布于发光区两侧的区域进行离子注入而形成。

4.根据权利要求3所述的FP腔GaN基激光器，其特征在于：所述离子注入采用的离子包括H离子、He离子、Be离子、B离子、N离子、Ar离子、Al离子。

5.根据权利要求2所述的FP腔GaN基激光器，其特征在于：所述第二波导层表面是不具有脊型结构的平整表面，而依次形成在第二波导层上的电子阻挡层、第二限制层以及接触层的表面也是不具有脊型结构的平整表面。

6.根据权利要求2所述的FP腔GaN基激光器，其特征在于还包括衬底，所述外延结构形成在所述衬底上。

7.一种FP腔GaN基激光器，包括外延结构以及与外延结构匹配的电极；其特征在于：所述外延结构包括依次层叠设置的n-AlGaN限制层、n-(In)GaN波导层、InGaN/GaN量子阱层、p-(In)GaN波导层、p-AlGaN电子阻挡层、p-AlGaN限制层和p-(In)GaN接触层；其中，所述p-(In)GaN波导层包括发光区和分布于发光区两侧的高阻区；并且所述激光器的p型表面是不具有脊型结构的平整表面。

8.根据权利要求7所述的FP腔GaN基激光器，其特征在于：所述高阻区是通过对p-(In)GaN波导层内分布于发光区两侧的区域进行离子注入而形成；优选的，所述离子注入采用的离子包括H离子、He离子、Be离子、B离子、N离子、Ar离子、Al离子。

9.根据权利要求7所述的FP腔GaN基激光器，其特征在于：所述InGaN/GaN量子阱层包括1-5对InGaN/GaN量子阱。

10.根据权利要求7所述的FP腔GaN基激光器，其特征在于：所述外延结构设置在衬底上，优选的，所述衬底包括GaN自支撑衬底。

11.根据权利要求7所述的FP腔GaN基激光器，其特征在于：所述电极包括分别与所述外延结构的两端匹配的p电极、n电极，所述p电极完全覆盖p-(In)GaN接触层。

12.如权利要求1-6中任一项所述的FP腔GaN基激光器的制作方法，其特征在于包括：

在衬底上依次制作叠层的第一限制层、第一波导层、量子阱层和第二波导层；

在所述第二波导层的局部区域设置掩模，之后采用离子注入的方式对所述第二波导层进行处理，以使第二波导层中被掩模覆盖的区域、未被掩模覆盖的区域分别形成发光区、高阻区；

在所述第二波导层上依次形成电子阻挡层、第二限制层以及接触层，获得外延结构；

制作与所述外延结构匹配的p电极、n电极；优选的，所述掩模采用光刻胶掩模。