[发明专利]一种新型的高镜像抑制比有源CMOS多相滤波器电路

说明书

本发明属于射频接收机技术领域，具体涉及一种新型的高镜像抑制比有源CMOS多相滤波器电路，I通路、Q通路、I通路差分输入电压端、I通路差分输出端、Q通路差分输入电压端、Q通路差分输出端、电源电压VDD和MOS管M₁₃、M₁₄、M₁₅、M₁₆，所述I通路包括一个低通跨导级和一个高通跨导级，分别为第一低通跨导级和第一高通跨导级；所述Q通路一个低通跨导级和一个高通跨导级，分别包括第二低通跨导级和第二高通跨导级。本发明具有较低的功耗、较宽的带宽和较小的芯片面积；同时本发明的多相滤波器结构有效地增强了高通和低通传输函数的极点频率和增益的匹配；并且本发明具有适用范围广的有益效果。

技术领域

本发明属于射频接收机技术领域，具体涉及一种新型的高镜像抑制比有源CMOS多相滤波器电路。

背景技术

目前，低中频正交下变频架构已被用作出色的射频接收器拓扑结构以实现高度集成、高性能、低成本的射频集成电路，镜像干扰对输出到基带的最终信噪比有重要影响。为了在所需信号和镜像信号之间实现较高的选择性，可以通过选择较高的中频并使用片上多相滤波器实现。因此，设计高性能、宽带和低功耗的片上多相滤波器是非常必要的。

在大多数应用中，多相滤波器分为无源多相滤波器和有源多相滤波器。无源多相级联的几个阶段可以表现出高的镜像抑制比(IRR)和宽的带宽。但是，它们需要消耗更多的能量，占用更多的芯片面积。首先，使用额外的缓冲器来补偿级联造成的损失；其次，由于片上无源器件难以调节，需要采用更多的级来补偿工艺和温度的变化。大多数文献中讨论的有源多相滤波器，无法实现在高工作频率、低功耗特别是电路中的一些非理想因素会影响高通传输函数和低通传输函数的幅值和相位，从而限制多相滤波器的镜像抑制比。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种新型的高镜像抑制比有源CMOS多相滤波器电路。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：