[发明专利]一种聚合物修饰的石墨烯薄膜及其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 201911367177.4 申请日: 2019-12-26
公开(公告)号: CN111029485A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 刘利会;叶丹青;董锐敏;陈淑芬;黄维 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;C01B32/184;C01B32/194
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210046 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 聚合物 修饰 石墨 薄膜 及其 制备 方法 应用
【说明书】:

发明公开了一种聚合物修饰的石墨烯薄膜及其制备方法与应用,该石墨烯薄膜由基底、位于基底上的石墨烯薄膜和修饰在石墨烯薄膜表面的高介电常数聚合物修饰层组成;该薄膜的制备方法包括以下步骤:(1)制备石墨烯薄膜,并将其转移到基底上;(2)配制高介电常数聚合物溶液;(3)采用溶液法将高介电常数聚合物溶液修饰到石墨烯薄膜表面形成高介电常数聚合物修饰层,得到聚合物修饰的石墨烯薄膜;该石墨烯薄膜作为透明导电电极应用在有机发光器件中。该薄膜能够降低空穴载流子的注入势垒、改善载流子注入;高介电常数聚合物修饰材料化学稳定性好,不易挥发、聚集;应用在发光器件中能够提高其电流密度、发光亮度、电流效率和功率效率。

技术领域

本发明涉及一种石墨烯薄膜及其制备方法与应用,更具体地,涉及一种聚合物修饰的石墨烯薄膜及其制备方法与应用。

背景技术

石墨烯(Graphene)是一种碳原子呈蜂窝状排布的单原子层二维结构材料,单层石墨烯的厚度仅为0.34nm,光透过率为97.7%,在新型透明导电材料领域,尤其光电器件电极领域具有广阔的应用前景。但由于本征石墨烯在合成和转移过程中易引入缺陷,导致单层石墨烯的面电阻高;同时由于本征石墨烯的功函数为4.4e,而光电器件中常用的空穴注入/传输材料的最高占据分子轨道(HOMO)能级大于5.0eV。石墨烯与空穴注入/传输层之间较大的注入势垒导致有机发光二极管驱动电压高,器件性能差。石墨烯的表面修饰是能够有效降低面电阻、调控功函数,目前常见的修饰材料有酸、金属氯化物、有机小分子材料等,但小分子的酸挥发性较强导致其修饰的石墨烯稳定性较差;利用金属氯化物修饰石墨烯表面会使得金属氯化物发生聚集,引起石墨烯表面粗糙度的增高,导致器件产生漏电流,器件失效;有机小分子材料修饰的石墨烯也存在化学稳定性较差。

发明内容

发明目的:本发明的目的是提供一种能够在石墨烯表面形成界面偶极、在应用时能够降低空穴载流子的注入势垒、改善载流子注入的聚合物修饰的石墨烯薄膜,本发明的另一目的是提供该石墨烯薄膜的制备方法,本发明的另一目的是提供该石墨烯薄膜在有机发光器件中作为透明导电电极的应用。

技术方案:本发明所述一种聚合物修饰的石墨烯薄膜,由基底、位于基底上的石墨烯薄膜和修饰在石墨烯薄膜表面的高介电常数聚合物修饰层组成。

其中,基底为玻璃、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯,高介电常数聚合物修饰层由聚合物为聚(偏二氟乙烯-共-六氟丙烯)、聚偏氟乙烯或聚偏二氯乙烯及其复合物在石墨烯薄膜表面沉积形成。

本发明所述的聚合物修饰的石墨烯薄膜制备方法包括以下步骤:

(1)制备石墨烯薄膜,并将其转移到基底上;

(2)配制高介电常数聚合物溶液;

(3)采用溶液法将高介电常数聚合物溶液修饰到石墨烯薄膜表面形成高介电常数聚合物修饰层,得到聚合物修饰的石墨烯薄膜。

其中,步骤1中制备好的石墨烯薄膜厚度为0.3-30nm,步骤2中配置高介电常数聚合物溶液是溶剂为四氢呋喃或N,N–二甲基甲酰胺,配制出的高介电常数聚合物溶液浓度为0.1~0.2mg ml-1

本发明所述的聚合物修饰的石墨烯薄膜在有机发光器件中作为透明导电电极的应用。

有益效果:本发明与现有技术相比,其显著优点是:1、高介电常数聚合物材料在石墨烯表面形成界面偶极,降低空穴载流子的注入势垒、改善载流子注入;2、高介电常数聚合物材料化学稳定性好,不易挥发、聚集;3、制备方法简单,成本低;4、应用在发光器件中能够提高其电流密度、发光亮度、电流效率和功率效率。

附图说明

图1是实施例1~3和对比例的紫外光电子能谱测试的功函数图;

图2是实施例1~3和对比例的拉曼光谱图;

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