[发明专利]一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法

权利要求书

1.一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法，其特征在于，在PETG矫治器表面局部，即凹槽内部或整体镀厚度为100～400nm的银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层；包括以下步骤：

(1)选取PETG矫治器作为基材，对基材进行前清洗处理；

(2)将步骤1清洗后的PETG矫治器置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上；工作盘在下述各步骤中保持公自转运动；所述真空腔室内放置有高纯Ag靶材和高纯Ti靶材；

(3)等离子体清洗：将步骤2中的真空腔室抽真空，使该真空腔室的真空度不高于3.0×10^-3Pa，再通入氩气，保持此步骤中该真空腔室中的工作气压为1.0×10^-1～3.0×10^-1Pa；然后在Ag靶材上施加0.02～1A电流，同时，对PETG矫治器所在工件架施加负偏压值为150～300V、脉冲宽度为0.2～5μs、且脉冲频率为5～350KHz的脉冲偏压，以对PETG矫治器进行溅射清洗，溅射清洗时间为1～20min；

(4)沉积纯银打底层：等离子体清洗后，保持真空腔室中的工作气压为1.0～3.0×10^-1Pa；将Ag靶材的靶电流调节至0.5～3.0A，同时，将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值调节至0～90V、脉冲宽度为0.2～5μs、且脉冲频率为5～350KHz的脉冲偏压，沉积金属打底层时间为1～10min；

(5)沉积过渡层：沉积金属打底后，保持氩气供给流量不变；将Ag靶材的靶电流逐渐调节至0.5～0.01A，同时向钛靶材外侧引入氧气反应气氛，氧气流量4～20sccm，并将Ti靶材的靶电流调节至0.5～3A；同时，将施加在PETG矫治器所在工件架上的负偏压值保持在0～60V、脉冲宽度为0.2～5μs、且脉冲频率为5～350KHz的脉冲偏压，沉积过渡层时间为3～15min；

(6)沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层：保持氩气和氧气供给流量不变；维持Ag靶材和Ti靶材的电流和电压参数不变；同时，保持施加在电PETG矫治器所在工件架上的脉冲偏压参数不变，沉积银掺杂二氧化钛纳米涂层时间为10～30min；

(7)取出、包装：在涂层沉积工艺结束后取出PETG矫治器并进行真空隔离包装。

2.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法，其特征在于，制备方法的所有步骤中，保证真空腔室的温度在室温至70℃之间。

3.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法，其特征在于，步骤(1)中，对待处理PETG矫治器进行超声清洗的具体方法为：PETG矫治器清洗在通风橱中进行，将待处理PETG矫治器置于分析纯酒精溶液中，保持酒精溶液温度室温至50℃，超声波清洗5min～30min，然后用高压空气吹干。

4.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法，其特征在于，步骤(2)中，PETG矫治器分为整体和局部施镀；整体施镀只需将PETG矫治器置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上即可；拟局部施镀的PETG矫治器先用金属箔包裹凸面遮蔽后，再将PETG矫治器置于磁控溅射离子镀设备真空腔室中的工件架上。

5.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法，其特征在于，步骤(2)中，保证各靶材与PETG矫治器之间的距离为80～180mm，且工作盘的主轴旋转转速为1～20r/min。

6.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法，其特征在于，高纯Ag靶材的纯度不低于99.99wt％，Ti靶材的纯度不低于99.99wt％。

7.根据权利要求1所述的一种PETG矫治器表面银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层的低温制备方法，其特征在于，PETG矫治器表面局部或整体镀厚度为100～400nm的银掺杂二氧化钛纳米抗菌复合涂层。