[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其制备方法

权利要求书

1.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件，其特征在于，所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件包括多个电池块，所述电池块自下而上依次包括基底、背电极层、铜铟镓硒层、缓冲层、前电极层及金属栅极，所述金属栅极将所述多个电池块串接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述基底的材料包括不锈钢和玻璃中的一种或两种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述背电极层包括钼层，所述钼层的厚度为220～1500nm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述铜铟镓硒层的厚度为1500～2500nm；所述缓冲层的材料包括硫化镉、硫化锌和硫化铟中的一种或多种，所述缓冲层的厚度为50～950nm；所述前电极层的材料包括掺铝氧化锌、掺镁氧化锌和掺硼氧化锆中的一种或多种，所述前电极层的厚度为50～500nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述金属栅极的厚度为10～150nm，所述金属栅极的材料包括银、铜和铝中的一种或多种。

6.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：

提供基底；

于所述基底的表面形成背电极层；

将所述背电极层分割成多个独立的电池块区域；

于所述电池块区域的表面形成铜铟镓硒层；

于所述铜铟镓硒层的表面形成缓冲层；

将形成所述缓冲层后得到的结构分割成多个独立的电池块，所述电池块与所述电池块区域一一对应；

于所述电池块的表面形成前电极层；

于所述前电极层的表面形成金属栅极，所述金属栅极将所述多个电池块串接。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：对所述背电极层进行激光划线以将所述背电极层分割成多个独立的电池块区域，划线宽度为10～50um。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：形成所述缓冲层的方法包括气相沉积法和化学浴沉积法中的一种或两种；形成所述铜铟镓硒层的方法包括溅射铜铟镓后进行硒化的方法以及共蒸法中的一种或两种。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在形成所述金属栅极后于得到的结构表面敷设汇流条及进行后段封装的步骤。

10.根据权利要求6至9任一项所述的制备方法，其特征在于，形成所述金属栅极的步骤包括：

于所述前电极层的表面形成光阻层；

依掩膜对所述光阻层进行曝光及显影以定义出所述金属栅极的位置和形状；

于对应所述金属栅极所在的位置沉积金属以形成所述金属栅极；

去除所述光阻层。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于：所述光阻层为正性光阻层，沉积的所述金属包括银、铜和铝中的一种或多种。

12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于：采用氢氧化钾和氢氧化钠中的一种或两种对所述光阻层进行显影，采用二甲基亚砜和N-甲基吡咯烷酮中的一种或两种去除所述光阻层。