[发明专利]一种76～81GHz的CMOS全集成功率放大器有效
| 申请号： | 201911344250.6 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111130473B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张润曦;朱晓剑;石春琦 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H03F3/213 | 分类号： | H03F3/213;H03F1/56;H03F1/02 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 76 81 ghz cmos 全集 成功率 放大器 | ||
1.一种76-81GHz的CMOS全集成功率放大器，其特征在于，该功率放大器包括输入变压器、驱动级电路、级间变压器、功率级电路和输出变压器，单端信号输入端RFIN与输入变压器TIN初级线圈一端相连，输入变压器TIN初级线圈的另一端接地；输入变压器TIN次级线圈的几何中心位置与第一偏置电压Vb1相连，输入变压器TIN次级线圈的一端与第一晶体管M1的栅端相连，输入变压器TIN次级线圈的另一端与第二晶体管M2的栅端相连；
第一晶体管M1的栅极与第一电容C1的一端相接，第一电容C1的另一端与第二晶体管M2的漏极相接；第二晶体管M2的栅极与第二电容C2的一端相接，第二电容C2的另一端与第一晶体管M1的漏极相接；第一晶体管M1的源极和第二晶体管M2的源极相连共同接地；电感LM3的一端与第一晶体管M1的漏极相接，电感LM3的另一端与第二晶体管M2的漏极相接；电感LM1的一端与第一晶体管M1的漏极相接，电感LM1的另一端与第三晶体管M3的源极相接；电感LM2的一端与第二晶体管M2的漏极相接，电感LM2的另一端与第四晶体管M4的源极相接；第三晶体管M3的栅极接在第一电阻R1的一端，同时与第四晶体管的栅极相接，第一电阻R1的另一端与第二偏置电压Vb2相接；第四晶体管M4的栅极接在第二电阻R2的一端，同时与第三晶体管栅极相接，第二电阻R2的另一端与第二偏置电压Vb2相接；
第三晶体管M3的漏极与级间变压器TM初级线圈的一端相接，级间变压器TM初级线圈的另一端与第四晶体管M4的漏极相接；级间变压器TM初级线圈的几何中心位置与电源电压AVDD相连；级间变压器TM次级线圈一端与第五晶体管M5的栅极相接，级间变压器TM次级线圈的另一端与第六晶体管M6的栅极相接；级间变压器TM次级线圈的几何中心位置与第三偏置电压Vb3相接；
第五晶体管M5的栅极与第三电容C3的一端相接，第三电容C3的另一端与第六晶体管M6的漏极相接；第六晶体管M6的栅极与第四电容C4的一端相接，第四电容C4的另一端与第五晶体管M5的漏极相接；第五晶体管M5的源极和第六晶体管M6的源极相连共同接地；电感LM6的一端与第五晶体管M5的漏极相接，电感LM6的另一端与第六晶体管M6的漏极相接；电感LM4的一端与第五晶体管M5的漏极相接，电感LM4的另一端与第七晶体管M7的源极相接；电感LM5的一端与第六晶体管M6的漏极相接，电感LM5的另一端与第八晶体管M8的源极相接；第七晶体管M7的栅极接在第三电阻R3的一端，同时与第八晶体管的栅极相接，第三电阻R3的另一端与第四偏置电压Vb4相接；第八晶体管的栅极接在第四电阻R4的一端，同时与第七晶体管栅极相接，第四电阻R4的另一端与第四偏置电压Vb4相接；
第七晶体管M7的漏极与输出变压器TO初级线圈的一端相接，输出变压器TO初级线圈的另一端与第八晶体管M8的漏极相接；输出变压器TO初级线圈的几何中心位置与电源电压AVDD相连；输出变压器TO次级线圈的一端接单端信号输出端RFOUT，输出变压器TO次级线圈的另一端接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东师范大学，未经华东师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911344250.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
