[发明专利]气体分配装置及等离子体处理装置

说明书

本发明公开了一种气体分配装置，包括气体挡板及安装基板，气体挡板包括中心气体入口、边缘气体入口、中心气体扩散区域及边缘气体扩散区域，中心气体扩散区域与边缘气体扩散区域之间的区域设置有环形气体通道及环形容纳通道，环形气体通道与环形容纳通道交错设置；安装基板上设置有贯穿安装基板表面的孔道，孔道与中心气体扩散区域、边缘气体扩散区域及环形气体通道相连通；气体自中心气体入口和/或边缘气体入口流入至相应的气体扩散区域并向环形气体通道与环形容纳通道内扩散，于任一环形容纳通道内设置环形密封圈，以限制气体的扩散，从而将气体限制于所需区域的气体扩散区域与通道内，进而进一步使气体释放至对应区域的孔道内。

技术领域

本发明涉及等离子体刻蚀技术领域，尤其涉及可自由调节气体分布面积的气体分配装置及具有该气体分配装置的等离子体处理装置。

背景技术

在等离子体处理装置进行刻蚀工艺处理的过程中，需要引入不同的刻蚀气体，且这些气体需要分布于待刻蚀晶片的相应所需刻蚀区域内。

现有技术中，设置于等离子体处理装置内的气体分配装置，其内的气体传输路径及气体分配区域面积都被固定，自气体入口引入的气体会被分配至固定的流道区域，而形成固定的气体分配面积，而后被释放至刻蚀区域中的一固定区域。若对晶片进行不同工艺处理时，既需要通入不同的气体，且不同工艺中气体在气体分配装置中的分配面积需不同，因此需要更换相应的气体分配装置以满足不同的工艺处理，更换过程复杂，且需要较高的更换费用。

因此，亟需一种可自由调节气体分布面积的气体分配装置，以将刻蚀气体引入至所需的刻蚀区域内。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种气体分配装置，有效解决现有技术存在的问题，使得被引入的气体被填充至相应刻蚀工艺所需要的区域内。

为实现上述目的，本发明提供一种气体分配装置，包括气体挡板及与气体挡板固定连接的安装基板，

所述气体挡板包括中心气体入口、边缘气体入口、与中心气体入口连通的中心气体扩散区域及与边缘气体入口连通的边缘气体扩散区域，所述中心气体扩散区域与边缘气体扩散区域之间的区域设置有若干环形气体通道及若干环形容纳通道，所述环形气体通道与环形容纳通道交错设置；

所述安装基板上设置有贯穿安装基板表面的孔道，所述孔道与所述中心气体扩散区域、边缘气体扩散区域及环形气体通道相连通；

气体自中心气体入口和/或边缘气体入口流入至相应的气体扩散区域并向气体扩散区域周围的环形气体通道与环形容纳通道内扩散，于任一环形容纳通道内设置环形密封圈，以限制气体的扩散，从而将气体限制于所需区域的气体扩散区域与通道内，进而进一步使气体释放至对应区域的孔道内。

可选的，所述气体挡板进一步包括中间气体入口及与中间气体入口相连通的中间气体扩散区域，所述中间气体入口位于中心气体入口与边缘气体入口之间，所述中间气体扩散区域位于中心气体扩散区域与边缘气体扩散区域之间。

可选的，所述中心气体扩散区域与中间气体扩散区域之间的区域设置有若干环形气体通道及若干环形容纳通道，所述中间气体扩散区域与边缘气体扩散区域之间的区域设置有若干环形气体通道及若干环形容纳通道，各气体扩散区域之间的若干环形气体通道及若干环形容纳通道交错设置。

可选的，气体自中心气体入口、中间气体入口和边缘气体入口中的至少之一者流入至相应的气体扩散区域并向该气体扩散区域周围的环形气体通道与环形容纳通道扩散，于任一环形容纳通道内设置环形密封圈，以限制气体的扩散，从而将气体限制于所需区域的气体扩散区域与通道内，进而进一步使气体释放至对应区域的孔道内。

可选的，所述环形气体通道与环形容纳通道的侧面开设有开口，以使气体于环形气体通道及未设置有环形密封圈的环形容纳通道之间流通。

可选的，设置于安装基板上的孔道与各气体扩散区域及各环形气体通道相连通，而与所述环形容纳通道不连通。