[发明专利]一种升压转换器有效
申请号: | 201911323182.5 | 申请日: | 2019-12-20 |
公开(公告)号: | CN113014094B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 于翔;许晶;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 圣邦微电子(北京)股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158;H02M1/14 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 吴小灿 |
地址: | 100089 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 升压 转换器 | ||
1.一种升压转换器,包括由第一控制信号通过第一驱动电路驱动的第一PMOS功率开关管,和由第三控制信号通过第三驱动电路驱动的第一NMOS管,其特征在于,引入一个第二PMOS功率开关管,所述第二PMOS功率开关管与所述第一PMOS功率开关管形成串联组合,所述第二PMOS功率开关管由第二控制信号通过第二驱动电路驱动;
所述第二驱动电路包括源极互连的第五PMOS管和第六PMOS管,所述第五PMOS管的漏极连接输出电压端,所述第六PMOS管的漏极连接输入电压端,所述第五PMOS管的栅极连接第二反相器的输出端,所述第二反相器的输入端连接最高电压选择比较器的输出端,所述第六PMOS管的栅极连接所述最高电压选择比较器的输出端;
所述第五PMOS管的源极连接第七PMOS管的源极,所述第七PMOS管栅漏互连后通过第一电流源连接接地端,所述第六PMOS管的源极通过第二电流源分别连接所述第二驱动电路输出端、第八PMOS管的源极和第二NMOS管的漏极,所述第八PMOS管与所述第七PMOS管栅极互连,所述第八PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的源极均连接接地端,所述第二NMOS管的栅极连接所述最高电压选择比较器的输出端;
所述第五PMOS管的源极连接所述第二驱动电路输出端;
所述第一PMOS功率开关管的源极连接输出电压端,所述第一PMOS功率开关管的漏极连接所述第二PMOS功率开关管的源极,所述第二PMOS功率开关管与所述第一NMOS管漏极互连后形成开关节点,所述开关节点通过第一电感连接输入电压端,所述第一NMOS管的源极连接接地端;
所述第一PMOS功率开关管与所述第二PMOS功率开关管体端互连后连接第三PMOS管与第四PMOS管体端和漏极均互连的互连节点,所述第三PMOS管的源极连接输出电压端,所述第四PMOS管的源极连接输入电压端,所述第三PMOS管的栅极连接第一反相器的输出端,所述第一反相器的输入端连接最高电压选择比较器的输出端,所述第四PMOS管的栅极连接所述最高电压选择比较器的输出端,所述最高电压选择比较器的正向输入端连接所述输出电压端,负向输入端连接所述输入电压端;
所述第二控制信号为所述最高电压选择比较器的输出端信号。
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