[发明专利]一种微流控芯片的表面修饰方法

权利要求书

1.一种微流控芯片的表面修饰方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、将微流控芯片表面进行清洗和干燥后进行表面活化处理；

S2、配置异氰酸酯溶液；

S3、将异氰酸酯溶液注入微流控芯片内，静置一段时间后，将多余的溶液用惰性气体吹出；

S4、配置-NH₂类化合物溶液；

S5、将-NH₂类化合物溶液注入微流控芯片内，静置一段时间后，将多余的溶液用惰性气体吹出；

S6、将芯片进行自然晾干，得到修饰后的微流控芯片。

2.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的表面修饰方法，其特征在于：在偶联前，微流控芯片表面先用等离子体进行活化；

等离子体的气源可以是氧、氮、空气以及他们的混合气，活化的时间为1 s 到30 min 。

3.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的表面修饰方法，其特征在于：所述的异氰酸酯试剂可以是2, 4-甲苯二异氰酸酯、2, 6-甲苯二异氰酸酯、1, 6-己二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、多亚甲基多苯多异氰酸酯之中的一种，或者是它们的多聚体以及它们的混合物。

4.根据权利要求1或权利要求3所述的一种微流控芯片的表面修饰方法，其特征在于：配置异氰酸酯的溶剂是不含氨基、羟基或者羧基，具体可以是二甲基甲酰胺。

5.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的表面修饰方法，其特征在于：所述的异氰酸酯的浓度为5% - 20%（V/V），其停留在微流控芯片通道内时间为：10 min - 30 min。

6.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的表面修饰方法，其特征在于：所述的氨基类化合物可以是聚赖氨酸或者聚赖氨酸的衍生物、聚乙烯亚氨或者聚乙烯亚氨的衍生物、PEG-NH₂。

7.根据权利要求1或权利要求7所述的一种微流控芯片的表面修饰方法，其特征在于：配置氨基类化合物溶液所用的溶剂为二甲基甲酰胺。

8.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的表面修饰方法，其特征在于：所述的氨基类化合物的浓度为0.5% - 5%( V/V )，其停留在微流控芯片通道内时间为：5 min - 30 min。

9.根据权利要求1所述的一种微流控芯片的表面修饰方法，其特征在于：所述的微流控芯片材料可以是以下任何一种：聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚碳酸酯（PC）、聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚环烯烃（COC）等其他高分子化合物。