[发明专利]一种阵列基板和显示面板在审
申请号: | 201911310794.0 | 申请日: | 2019-12-18 |
公开(公告)号: | CN111077707A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
发明(设计)人: | 欧阳幸 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示 面板 | ||
本申请公开了一种阵列基板和显示面板,其包括设置于阵列基板的膜层内的GOA信号线,以及形成在阵列基板表面的驱动信号线,GOA信号线和驱动信号线通过过孔电性连接;其中,过孔对应位于GOA信号线上,且过孔在GOA信号线上按照面积比例设置。
技术领域
本申请涉及GOA显示技术领域,尤其涉及GOA产品烧屏技术领域,具体涉及一种阵列基板和显示面板。
背景技术
GOA(Gate On Array,阵列基板行驱动)产品是一种运用液晶显示面板的原有制程将水平扫描线的驱动电路制作在显示区周围的基板上,使之能替代外接集成电路来进行水平扫描线驱动的产品。其TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)侧线路设计把行驱动功能做到TFT基板,在TFT基板上制作特有的GOA线路。
经过GOA产品烧屏后留存下来的烧伤痕迹进行分析,GOA产品的烧屏原因可以但不限于为以下两种:第一种,TFT基板与CF(Color Filter,彩色滤光片)基板间受异物影响导通,例如,由于受到异物挤压导致TFT基板和CF基板的ITO(Indium Tin Oxide,锡氧化铟)层发生接触;由于TFT基板和CF基板的ITO层进入异物,导致两侧的ITO层通过该异物发生静电击穿的概率极大提高,从而增加了TFT基板与CF基板间的导通几率。第二种,TFT基板上的信号线间发生的短路。
众所周知,GOA产品的烧屏问题是业界的一种固有常见现象,一直未得到有效改善或者彻底解决,本申请通过烧屏后留存下来的烧伤痕迹进行分析,得出上述的GOA产品烧屏的一些发生机理,并根据其异常发生原理,从减少TFT基板与CF基板可能导通面积和减少TFT基板上线路间短路概率这两个方向上入手,提出了能够改善GOA产品烧屏的技术方案。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板,解决的TFT基板上的GOA线路区域易受异物或小范围膜残影响发生线路短路,引起发热从而烧屏的问题。
第一方面,本申请提供一种阵列基板,其包括设置于阵列基板的膜层内的GOA信号线,以及形成在阵列基板表面的驱动信号线,GOA信号线和驱动信号线通过过孔电性连接;其中,过孔对应位于GOA信号线上,且过孔在GOA信号线上按照面积比例设置。
结合第一方面,在第一方面的第一种实施方式中,过孔在GOA信号线上按照面积比例设置包括:过孔的面积与GOA信号线的面积之比,且面积之比小于8%。
结合第一方面的第一种实施方式,在第一方面的第二种实施方式中,过孔在GOA信号线上按照面积比例设置还包括:GOA信号线单位面积内过孔所占面积与单位面积的比例;其中,比例与在GOA信号线单位面积内过孔在平面上的位置关系相关。
结合第一方面的第二种实施方式,在第一方面的第三种实施方式中,位置关系包括:相邻过孔间的横向距离;其中,横向距离为相邻过孔外边缘之间的水平距离,且横向距离大于26微米。
结合第一方面的第二种实施方式,在第一方面的第四种实施方式中,位置关系还包括:相邻过孔间的纵向距离;其中,纵向距离为相邻过孔外边缘之间的垂直距离,且纵向距离大于19微米。
结合第一方面的第二种实施方式,在第一方面的第五种实施方式中,位置关系还包括:同一GOA信号线上设置有两行以上的过孔时,相邻行上的所述过孔呈错位分布状态。
结合上述的任一种实施方式,在第一方面的第六种实施方式中,过孔的端部设置有膜柱。
第二方面,本申请提供一种显示面板,其包括上述任一项的阵列基板,阵列基板通过框胶与彩色滤光片基板粘接,框胶的涂布区域与GOA信号线的布线区域在投影平面上相互独立。
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