[发明专利]一种划分NANDFlash Wordline分组的方法

说明书

本发明公开一种划分NANDFlash WordLine分组的方法，本方法首先确定影响NANDFlash数据保存能力最为严重的因素分别为擦写次数、数据驻留时间和读干扰；然后分别在单一影响因素和混合不同影响因素的情况下进行测试，最后统计所有WordLine在各种测试情况下的变化趋势，归纳变化趋势相同的Wordline为一组。基本本方法，将NANDFlash内具有一致性的Wordline划分为一组，NANDFLASH使用者在之后的使用或者测试中根据分组进行异同点分析，归纳相应处理方案。

技术领域

本发明公开一种划分NANDFlash Wordline分组的方法，属于NANDFlash测试技术领域。

背景技术

NAND Flash基于浮栅（Floating Gate）晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被储存在浮栅中，每个浮栅(Floating Gate)晶体管对应一个存储单元（cell），其中每个cell的漏极对应位线（Bitline），栅极对应字线（Wordline），源极都连在一起。每个页(Page)对应着一个字线（Wordline），多个字线（Wordline）组成一个块（Block）。

考虑到块（Block）内部的拓扑结构的不同，导致处于不同位置的字线（Wordline）在同一环境条件下表现出不同的特性，需要将表现具有一致性的字线（Wordline）划分为一组。之后对不同组的字线（Wordline）进行分析测试，总结组之间的相同点与不同点，进行相应处理。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种划分NANDFlash Wordline分组的方法，基本本方法，将NANDFlash内具有一致性的Wordline划分为一组，NANDFLASH使用者在之后的使用或者测试中根据分组进行异同点分析，归纳相应处理方案。

为了解决所述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种划分NANDFlashWordLine分组的方法，包括以下步骤：S01）、确定影响NANDFlash数据保存能力最为严重的因素分别为擦写次数、数据驻留时间和读干扰；

S02）、选定单一影响因素进行测试，在该影响因素变化情况下采集每个Wordline的数据，数据内容包括测试条件、Wordline序号、Wordline错误比特数；

S03）、混合不同的影响因素进行测试，采集每个Wordline的数据，数据内容包括测试条件、Wordline序号、Wordline错误比特数；

S04）、分析每类测试下同一Wordline的数据，统计出随着影响因素的变化同一Wordline的错误比特数的变化趋势或者随着驻留时间增长或者读干扰次数增长，计算出每一段时间间隔或者次数间隔计算前后2次或者多次的变化百分比；

S05）、统计所有Wordline的错误笔比特数的变化百分比，归纳变化趋势相同的Wordline为一组。

进一步的，混合不同的的影响因素进行测试包括两种情况，一是在一定擦写次数下变化数据驻留时间长短，另外一种是在一定擦写次数下变化读干扰的次数。

进一步的，Wordline的错误比特数或者变化百分比进行图形化呈现。

进一步的，将Wordline分为6组或者8组。

本发明的有益效果：本方法可以将具有相同变化趋势的Wordline分为一组，NANDFLASH使用者在之后的使用或者测试中根据分组进行异同点分析，归纳相应处理方案，避免因为不同特性的Wordline采用相同处理算法导致的严重偏差。

附图说明

图1为本方法的流程图；

图2为不同Wordline的分析图形。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步的说明。