[发明专利]复合开关及其投入方法

权利要求书

1.一种复合开关，其特征在于，包括：单向可控硅(Scr)、继电器(J1)、可控硅驱动电路(10)、电压侦测电路(20)及控制芯片(30)；

所述单向可控硅(Scr)的阳极(A)电性连接继电器(J1)的第一触点，阴极(K)电性连接继电器(J1)的第二触点；

所述可控硅驱动电路(10)包括输入端(11)及输出端(12)，所述可控硅驱动电路(10)的输入端(11)电性连接控制芯片(30)，输出端(12)电性连接所述单向可控硅(Scr)的控制极(G)；

所述电压侦测电路(20)包括第一侦测端(21)、第二侦测端(22)及反馈端(23)，所述第一侦测端(21)电性连接所述单向可控硅(Scr)的阳极(A)，所述第二侦测端(22)电性连接所述单向可控硅(Scr)的阴极(K)，所述反馈端(23)电性连接所述控制芯片(30)；

所述继电器(J1)的第一触点接收电网电压(Ain)，第二触点电性连接电容负载(Aout)，控制端电性连接控制芯片(30)；

所述单向可控硅(Scr)的阳极(A)与阴极(K)之间的电压差为第一电压，所述电压侦测电路(20)用于侦测第一电压，并反馈给控制芯片(30)；

所述控制芯片(30)用于接收第一电压，并在第一电压小于0后延迟第一时长，向可控硅驱动电路(10)的输入端(11)发出可控硅触发信号，在第一电压大于0后的第二时长范围内，向继电器(J1)的控制端发出继电器导通信号；

所述可控硅驱动电路(10)包括：第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第三三极管(Q3)、第一电容(C1)、变压器(T1)、第一二极管(D1)及第二二极管(D2)；

所述第一电阻(R1)的第一端接地，第二端作为可控硅驱动电路(10)的输入端(11)电性连接控制芯片(30)；

所述第二电阻(R2)的第一端电性连接第一电阻(R1)的第二端，第二端电性连接第一三极管(Q1)的基极；

所述第一三极管(Q1)的发射极接地，集电极电性连接第三电阻(R3)的第一端；

所述第三电阻(R3)的第二端接入一高电平(V)；

所述第四电阻(R4)的第一端电性连接第三电阻(R3)的第一端，第二端电性连接第二三极管(Q2)的基极；

所述第二三极管(Q2)的发射极电性连接第一电容(C1)的第一端，集电极电性连接所述第三电阻(R3)的第二端；

所述第三三极管(Q3)的基极电性连接所述第四电阻(R4)的第二端，集电极接地，发射极电性连接第一电容(C1)的第一端；

所述变压器(T1)的初级线圈的一端电性连接第一电容(C1)的第二端，另一端接地，次级线圈的两端分别电性连接第五电阻(R5)的第一端及第一二极管(D1)的正极；

所述第一二极管(D1)的正极电性连接所述单向可控硅(Scr)的阴极(K)，负极电性连接第五电阻(R5)的第二端；

所述第二二极管(D2)的正极电性连接第五电阻(R5)的第二端，负极作为可控硅驱动电路(10)的输出端(12)电性连接所述单向可控硅(Scr)的控制极(G)。

2.如权利要求1所述的复合开关，其特征在于，所述第一时长和第二时长均为第一电压的变化周期的1/4。

3.如权利要求1所述的复合开关，其特征在于，还包括熔断器(F)，所述单向可控硅(Scr)的阴极(K)经由所述熔断器(F)与继电器(J1)的第二触点电性连接。