[发明专利]磁盘装置以及磁盘装置的控制方法在审

专利信息
申请号: 201911297485.4 申请日: 2019-12-17
公开(公告)号: CN112447192A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 山崎雄一郎;小林拓也;市原一人 申请(专利权)人: 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
主分类号: G11B5/012 分类号: G11B5/012;G11B19/04;G11B20/10
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 李智;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁盘 装置 以及 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种磁盘装置,具备:

盘,其具有第1磁道和与所述第1磁道相邻的第2磁道;

头,其在所述盘的半径方向上对与所述第1磁道相邻的所述第2磁道写入数据;

存储器,其具有能够在所述半径方向上从所述第2磁道的磁道中央向所述第1磁道侧偏移地进行写入的次数的第1上限值;以及

控制器,其在对所述第2磁道进行了写入的写入次数达到所述第1上限值之前对所述第1磁道进行重写。

2.根据权利要求1所述的磁盘装置,

所述控制器在所述写入次数达到所述第1上限值中的、能够从所述磁道中央向所述第1磁道侧偏移不会擦除所述第1磁道的最大偏移量地进行写入的次数的第2上限值之前对所述第1磁道进行重写。

3.根据权利要求2所述的磁盘装置,

所述头能够从所述第1磁道或者所述第2磁道读取数据,

所述控制器在对从所述磁道中央向所述第1磁道侧离开了第1距离的第1半径位置进行了写入之后进行了读取的所述第1磁道中发生了读取错误的情况下,对从所述磁道中央向所述第1磁道侧离开了比所述第1距离短的第2距离的第2半径位置进行写入,在对所述第2半径位置进行了写入之后进行了读取的所述第1磁道不发生读取错误的情况下,将所述第2距离设定为所述第2磁道的最大偏移量。

4.根据权利要求1所述的磁盘装置,

所述头能够从所述第1磁道或者所述第2磁道读取数据,

所述控制器在对从所述磁道中央向所述第1磁道侧离开了第1距离的第1半径位置反复进行了写入直到所述写入次数成为第1值时、所述第1磁道的第1错误率达到了在所述第1磁道不发生读取错误的错误率的第3上限值的情况下,将所述第1值设定为所述第1上限值。

5.根据权利要求1所述的磁盘装置,

所述头能够从所述第1磁道或者所述第2磁道读取数据,

所述控制器基于对从所述磁道中央向所述第1磁道侧离开了第1距离的第1半径位置进行了写入直到所述写入次数成为第1值时的所述第1磁道的第1错误率、所述第1值、对从所述磁道中央向所述第1磁道侧离开了第2距离的第2半径位置进行了写入直到所述写入次数成为第2值时的所述第1磁道的第2错误率、所述第2值以及在所述第1磁道不发生读取错误的错误率的第3上限值,算出所述第1上限值。

6.根据权利要求1所述的磁盘装置,

所述头能够从所述第1磁道或者所述第2磁道读取数据,

所述控制器基于在所述第2磁道中一边在所述半径方向上变动一边进行了写入直到所述写入次数成为第1值时的所述第1磁道的第1错误率、所述第1值、在所述第2磁道中一边在所述半径方向上变动一边进行了写入直到所述写入次数成为第2值时的所述第1磁道的第2错误率、所述第2值以及在所述第1磁道不发生读取错误的错误率的第3上限值,算出所述第1上限值。

7.根据权利要求6所述的磁盘装置,

所述控制器在所述第2磁道中一边基于正态分布而在所述半径方向上变动一边进行写入。

8.根据权利要求1所述的磁盘装置,

所述控制器对磁道偏移次数进行计数,基于所述磁道偏移次数来修正所述第1上限值,所述磁道偏移次数是对在所述第2磁道中在所述半径方向上偏移了的次数赋予了权重而得到的。

9.一种磁盘装置的控制方法,应用于具备盘、头以及存储器的磁盘装置,所述头对所述盘写入数据、从所述盘读取数据,所述存储器具有能够从所述盘的与第1磁道在所述盘的半径方向上相邻的第2磁道的磁道中央向所述第1磁道侧偏移地进行写入的次数的第1上限值,

所述控制方法,

在对所述第2磁道进行了写入的写入次数达到所述第1上限值之前对所述第1磁道进行重写。

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