[发明专利]一种免疫电极的制备方法

权利要求书

1.一种免疫电极的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

(1)制备导电聚合物层：在镀金基层上制备导电聚合物层，获得导电聚合物/镀金基层；

(2)制备免疫电极：在所述导电聚合物层上制备抗体层，获得抗体/导电聚合物/镀金基层；

(3)表面多孔修饰：对抗体/导电聚合物/镀金基层的抗体层表面进行多孔修饰，

(4)形成免疫电极体系：将裸镀金基层与多孔保护层/抗体/导电聚合物/镀金基层的外侧进行固定，得到免疫电极体系。

2.根据权利要求1所述的免疫电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)对抗体层表面进行多孔修饰的方法是采用聚苯乙烯或聚苯胺或聚丙烯酸叔丁酯或聚碳酸酯或聚乙烯醇为成膜试剂材料，氯仿或四氢呋喃或苯或CS₂为溶剂，将成膜试试剂材料与溶剂混合均匀后滴加至抗体/导电聚合物/镀金基层的表面，使得抗体/导电聚合物/镀金基层的抗体层表面获得多孔保护层。

3.根据权利要求2所述的免疫电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)具体包括以下步骤：

S11将镀金后的镀金基层用乙醇和水清洗，并晾干备用；

S12将所述镀金基层置于反应液中在氮气氛围、冰浴条件下进行过夜无光照反应，过夜反应的时间为10～16h，然后用纯水冲洗干净、氮气吹干，在镀金基层表面修饰导电聚合物，获得导电聚合物/镀金基层。

4.根据权利要求3所述的免疫电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)具体包括以下步骤：

S21向步骤(1)得到的导电聚合物/镀金基层的表面滴加抗体溶液，37℃静置孵育1～2h，用0.1％的吐温-20溶液冲洗，得到抗体/导电聚合物/镀金基层；

S22在抗体/导电聚合物/镀金基层免疫电极的表面滴加封闭液，于37℃静置0.5～1.5h，封闭非活性位点，待用。

5.根据权利要求4所述的免疫电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中所述成膜试剂材料在所述溶剂中的质量分数为1～20％，将成膜试剂材料与溶剂混合均匀后在25℃和相对湿度为50～90％条件下滴加至抗体/导电聚合物/镀金基层的表面，待所述溶剂挥发完后，则在抗体/导电聚合物/镀金基层的抗体层表面形成了一层多孔保护层。

6.根据权利要求4所述的免疫电极的制备方法，其特征在于，所述基层采用PET或PP或PE或ABS柔性基层；所述步骤S12中的反应液的组成成分包括氯化铁、导电聚合物和盐酸，其中所述氯化铁的浓度为0.01～0.5mol/L，所述导电聚合物的浓度为0.01～0.5mol/L，所述盐酸的浓度为0.01～0.5mol/L；所述步骤S21向步骤(1)得到的导电聚合物/镀金基层的表面滴加15μL的0.024mg/mL的抗体；所述步骤S22中在多孔保护层/抗体/导电聚合物/镀金基层的表面滴加2％BSA封闭液；所述步骤(3)采用双面胶将镀金基层与抗体/导电聚合物/镀金基层的外侧进行固定使反应槽反应槽长为0.1-0.8cm；宽为0.1-0.6cm。

7.根据权利要求6所述的免疫电极的制备方法，其特征在于，所述步骤S12中的反应液的组成成分包括氯化铁、导电聚合物、盐酸和十二烷基磺酸钠。

8.根据权利要求6所述的免疫电极的制备方法，其特征在于，采用该免疫电极的微流体检测芯片从下往上依次包括下层芯片、中层芯片和上层芯片；所述下层芯片、中层芯片与上层芯片相配合界定出封闭的微流道和多个相互独立的腔室；所述微流道和腔室均贯穿设置在所述中层芯片上；所述上层芯片上设有进样口，所述进样口通过所述微流道与所述腔室相连通；该微流体检测芯片还包括免疫电极体系，所述免疫电极体系包括标准电极和工作电极，所述标准电极包括镀金基层，所述工作电极包括镀金基层、导电聚合物层和抗体层，所述镀金基层、导电聚合物层和抗体层从下至上依次贴合。