[发明专利]锂电池保护电路、保护系统、保护模块封装结构及方法

说明书

本发明提供一种锂电池保护电路、锂电池保护系统、锂电池保护模块封装结构及封装方法，锂电池保护电路包括放电模块、充电模块以及设置在二者之间的感温元件，本发明的方案中，各所述功率器件选择为裸晶粒，可以减小封装体积，感温元件设置在充电模块及放电模块中间，采集裸晶粒的结温，提高温度采集的准确性，本发明的方案可以实现均流的效果好，动静态参数的一致性良好的效果，连接电阻，可以提高驱动能力，能够更好的实现均流及阻抗匹配，设置稳压二极管，可以对功率器件进行静电保护，防止器件被静电击穿受损。

技术领域

本发明属于锂电池保护领域，特别是涉及一种锂电池保护电路、锂电池保护系统、锂电池保护模块封装结构及锂电池保护模块封装方法。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。

锂电保护板一般是用单颗或多颗MOSFET串并联的形式来对锂电池进行保护，用单颗或多颗MOSFET存在一个比较致命的缺陷就是体积大；Gate端驱动电阻要跟MOSFET匹配，如不匹配，MOSFET在开关的时候容易出现振荡，造成MOSFET易损坏或炸管；锂电保护板有些需要监测MOSFET的温度，一般通过MOSFET的塑封料的壳温来监测MOSFET的温度，但这种存在一个很大缺点，就是温度检测不准确，误差很大，并只能检测到MOSFET的周围的环境温度，不能够检测到MOSFET的Tj(结温)温度，不能够很好反映MOSFET当前工作温升的情况；锂电保护板在多颗MOSFET并联使用的时候，因为使用的MOSFET是单颗，当几颗并联使用时，均流的效果不是很好，多颗MOSFET的动静态参数的一致性也差；单颗MOSFET本身存在一个问题就是抗静电能力差(ESD)，随着科技水平进步，工艺平台的提升，目前的MOSFET的抗静电能力得到大大提升，但还是远远达不到要求。

因此，如何提供一种锂电池保护电路、锂电池保护系统、锂电池保护模块封装结构及封装方法以解决现有技术中的上述问题实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种锂电池保护电路、锂电池保护系统、锂电池保护模块封装结构及封装方法，用于解决现有技术中锂电池保护板封装体积大、采集温度不准确、缺少ESD保护以及功率器件均流差、动静态参数不一致等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种锂电池保护电路，包括：

放电模块，具有放电控制端、第一连接端及第二连接端，所述放电控制端接收放电控制信号以控制所述放电模块的导通和关断，所述第一连接端作为第一外接端口；

充电模块，具有充电控制端、第三连接端及第四连接端，所述充电控制端接收充电控制信号以控制所述充电模块的导通和关断，所述第三连接端与所述放电模块的所述第二连接端相连接，所述第四连接端作为第二外接端口；以及

感温元件，所述感温元件设置于所述放电模块与所述充电模块之间，以采集所述放电模块及所述充电模块的结温。