[发明专利]用于提供偏置信号与RF信号的隔离的系统和方法

权利要求书

1.一种用于在集成电路中提供偏置信号相对于射频(RF)信号的隔离的系统，其特征在于，所述系统包括：

电感器；

旁路电容器，所述旁路电容器通过在所述旁路电容器与所述电感器之间沿第一方向延伸第一距离的第一区域与所述电感器间隔开；以及

传输线段，

其中所述传输线段包括第一端和第二端并且在所述第一端与所述第二端之间延伸，

其中所述第一端至少间接地耦合到所述旁路电容器并且所述第二端至少间接地耦合到所述电感器的第一附加端，其中所述电感器的第二附加端被配置成至少间接地耦合到通过其传送所述RF信号的装置，并且

其中所述传输线段被配置成向在所述第一端与所述第二端之间传送的信号赋予不可忽略的相移，或者被配置成具有不可忽略的有效电感。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述传输线段在第一端与第二端之间具有足以向在所述第一端与所述第二端之间传送的所述信号赋予不可忽略的信号延迟的电长度。

3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述传输线段是包括在所述第一端与所述第二端之间的多个平行朝向、电耦合且电磁耦合的传输线部分的曲折线。

4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述传输线段是包括在所述第一端与所述第二端之间延伸的U形结构的曲折线，其中所述U形结构分别包括分别远离所述第一端和所述第二端纵向延伸的第一细长部分和第二细长部分，并且其中所述U形结构进一步包括远端或侧边细长部分，所述第一细长部分和所述第二细长部分通过所述远端或所述侧边细长部分互连。

5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述曲折线完全或基本上完全定位于在所述电感器与所述旁路电容器之间的所述第一区域内。

6.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，所述旁路电容器包括第一边缘、第二边缘和在所述第一边缘与所述第二边缘之间延伸的侧边缘，其中所述第二边缘面向所述第一区域，其中所述第一细长部分定位成沿着所述第一边缘延伸，其中所述第二细长部分定位成沿着所述第二边缘延伸，其中所述侧边细长部分定位成沿着所述侧边缘延伸，其中所述第一端将所述第一细长部分耦合到所述第一边缘或靠近所述第一边缘的位置，并且其中所述U形结构缠绕所述旁路电容器的周边的一部分。

7.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述电感器是包括多个螺旋路径并且在所述第一附加端与第二附加端之间延伸的螺旋电感器。

8.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述旁路电容器是金属氧化物半导体(MOS)电容器并且通过至少四个穿透衬底通孔(TSV)连接到接地参考。

9.一种集成电路，其特征在于，包括：

第一晶体管装置，所述第一晶体管装置具有第一端、第二端和第三端；

第一电感器；

第一旁路电容器，所述第一旁路电容器通过在所述第一旁路电容器与所述第一电感器之间沿第一方向延伸第一距离的第一区域与所述第一电感器间隔开；以及

第一传输线段，

其中所述第一传输线段包括第一端和第二端并且在所述第一端与所述第二端之间延伸，

其中所述第一端至少间接地耦合到所述第一旁路电容器并且所述第二端至少间接地耦合到所述第一电感器的第一附加端，

其中所述第一传输线段被配置成向在所述第一端与所述第二端之间传送的信号赋予不可忽略的相移，或者被配置成具有不可忽略的有效电感，并且

其中所述第一晶体管装置的所述第一端、所述第二端和所述第三端中的至少一个至少间接地耦合到所述第一电感器。

10.一种功率放大系统，其特征在于，包括：

RF输入端；

峰值放大器RF集成电路，所述峰值放大器RF集成电路至少间接地耦合到所述RF输入端；

载波放大器RF集成电路，所述载波放大器RF集成电路至少间接地耦合到所述RF输入端，

其中所述峰值放大器RF集成电路或所述载波放大器RF集成电路包括：

第一晶体管装置，所述第一晶体管装置具有第一端、第二端和第三端；

第一电感器；

第一旁路电容器，所述第一旁路电容器通过在所述第一旁路电容器与所述第一电感器之间沿第一方向延伸第一距离的第一区域与所述第一电感器间隔开；以及

第一传输线段，所述第一传输线段具有第一端和第二端并且至少间接地耦合所述第一电感器和所述第一旁路电容器，

其中所述第一传输线段被配置成具有不可忽略的有效电感，并且在所述第一端与所述第二端之间具有足以向在所述第一端与所述第二端之间传送的信号赋予不可忽略的信号延迟的电长度。