[发明专利]片状压敏电阻

说明书

本发明提供一种片状压敏电阻，其在素体内包含两个功能层(即，第一功能层和第二功能层)，两个功能层具有实质上相同的静电电容。在片状压敏电阻中，通过碱金属含有部，素体从外表面被高电阻化，但碱金属含有部未到达第一功能层和第二功能层。因此，碱金属含有部不会影响到第一功能层和第二功能层的静电电容，抑制片状压敏电阻的寄生电容。因此，片状压敏电阻包含抑制了电容偏差的两个功能层。

技术领域

本发明涉及片状压敏电阻(CHIP VARISTOR)。

背景技术

作为片状压敏电阻，已知有具有压敏电阻素体和端子电极的层叠型片状压敏电阻，该压敏电阻素体具有功能层(压敏电阻层)和以夹着功能层的方式与功能层相接配置的内部电极；该端子电极以与对应于压敏电阻素体的端部的内部电极连接的方式配置(例如，参照日本特开2002－184608号公报)。

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的发明人例如为了保护车载用的差分传输用收发装置以使其免受ESD(Electrostatic Discharge：静电放电)那样的浪涌电压的影响，对将片状压敏电阻应用在差分传输用收发装置上的技术进行了深入研究，其结果，得到了分别安装于两个信道的片状压敏电阻间的电容偏差成为通信错误的原因这样的见解。

本发明的发明人进行了深入研究以后，重新发现了通过抑制上述电容偏差，能够降低信号错误的技术。

根据本发明，提供一种能够实现高的信号精度的片状压敏电阻和差分传输用收发装置。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个实施方式涉及的片状压敏电阻具有：素体，其具有相互相对的第一面和第二面，且具有层叠结构；第一导体，其在素体的规定的层内，沿着第一面和第二面的相对方向延伸；第二导体，其在素体的与第一导体不同的层内，沿着第一面和第二面的相对方向延伸，形成在素体的层叠方向上与第一导体重叠的重叠部；第三导体，其在素体的位于第一导体和第二导体的中间的层内，沿着与第一导体以及第二导体交叉的方向延伸，具有在素体的层叠方向上与重叠部重叠的功能部，在功能部与第一导体之间形成第一功能层，并且在功能部与第二导体之间形成第二功能层；第一电极，其设置于素体的第一面侧，与第一导体连接；第二电极，其设置于素体的第二面侧，与第二导体连接；第三电极，其设置于素体的表面，与第三导体连接；和碱金属含有部，其是通过含有碱金属而提高了电阻的素体的一部分，该碱金属含有部构成素体的表面，并且沿着第一导体、第二导体以及第三导体与素体的界面从素体的表面向内部延伸，碱金属含有部未到达第一功能层和第二功能层。

上述片状压敏电阻在素体内包含两个功能层(即，第一功能层和第二功能层)。第一功能层和第二功能层在第一导体和第二导体重叠的重叠部，通过使第三导体的功能部分别与第一导体和第二导体重叠而形成。因此，第三导体的功能部和第一导体的相对面积、与第三导体的功能部和第二导体的相对面积实现了相同化。进而，在上述片状压敏电阻中，通过碱金属含有部，除第一功能层和第二功能层以外的素体的一部分被高电阻化。因此，在第一导体、第二导体、第三导体、第一电极、第二电极和第三电极中的任两个间产生的寄生电容被抑制。因此，在上述片状压敏电阻中，包含抑制了电容偏差的两个功能层，通过将这两个功能层应用于差分传输用收发装置，能够实现高的信号精度。

关于其他方式涉及的片状压敏电阻，从碱金属含有部沿着第一导体与素体的界面所到达的位置到重叠部的距离、以及从碱金属含有部沿着第二导体与素体的界面所到达的位置到重叠部的距离比从碱金属含有部沿着第三导体与素体的界面所到达的位置到重叠部的距离长。

关于其他方式涉及的片状压敏电阻，在与层叠方向以及第一面和第二面的相对方向正交的方向上，第一导体的长度和第二导体的长度相对于素体的长度的比例为0.1～0.6的范围。在这种情况下，片状压敏电阻具有高的ESD耐性，并具有高的可靠性。