[发明专利]基于电平宽度的动态编程步阶特性调整

说明书

本申请案涉及基于电平宽度的动态编程步阶特性调整。确定对应于存储器组件的存储器单元群组的电平宽度。比较所述经确定电平宽度与目标电平宽度。响应于所述经确定电平宽度与所述目标电平宽度不同，调整一或多个编程步阶特性以将所述经确定电平宽度调整到所述目标电平宽度。

技术领域

本发明的实施例一般来说涉及存储器子系统，且更具体来说涉及基于电平宽度的编程步阶特性调整。

背景技术

存储器子系统可为存储系统，例如固态驱动器(SSD)，且可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可为例如非易失性存储器组件及易失性存储器组件。通常，主机系统可利用存储器子系统以将数据存储在存储器组件处且从存储器组件检索数据。

存储系统各种因素(例如温度，损耗循环(例如，编程/擦除周期)等)会随时间变化，可能对存储系统的系统服务质量(QoS)、可靠性和/或性能产生负面影响。

发明内容

提供了系统和方法，以消除随时间变化的各种因素(例如温度，损耗循环(例如，编程/擦除周期)等)对QoS、可靠性和/或性能的负面影响。

在一个方面中，本发明提供一种系统，其包括：存储器组件(110)，其包含存储器单元群组；及处理装置(112)，其经耦合到所述存储器组件且经配置以：确定对应于所述存储器单元群组的电平宽度(455、548)，其中所述电平宽度是对应于所述存储器单元群组被编程到的状态的阈值电压分布的宽度；比较所述经确定电平宽度与目标电平宽度；及响应于所述经确定电平宽度与所述目标电平宽度不同，调整一或多个编程步骤特性以朝向所述目标电平宽度调整所述经确定电平宽度。

在另一方面中，本发明提供一种方法，其包括：确定对应于经由具有一或多个编程步骤特性的编程信号编程的存储器单元群组的电平宽度(455、548)，其中所述电平宽度是对应于所述存储器单元群组被编程到的状态的阈值电压分布的宽度；比较所述经确定电平宽度与目标电平宽度；响应于所述经确定电平宽度与所述目标电平宽度不同，调整所述一或多个编程步骤特性以将所述经确定电平宽度调整到经调整电平宽度；比较所述经调整电平宽度与所述目标电平宽度；及响应于所述经调整电平宽度与所述目标电平宽度不同，进一步调整所述一或多个编程步骤特性以朝向所述目标电平宽度调整所述经调整电平宽度。

在又一方面中，本发明提供一种系统，其包括：存储器组件(110)，其包含多个存储器单元；及处理装置(112)，其经耦合到所述存储器组件且经配置以：比较先前确定的电平宽度与目标电平宽度，其中电平宽度(455、548)是对应于所述存储器单元群组被编程到的状态的阈值电压分布的宽度；将一或多个编程步骤特性调整达相应确定量以朝向所述目标电平宽度调整所述先前确定的电平宽度；其中所述电平宽度是所述多个存储器单元的阈值电压分布当中的电平宽度的和。

根据本发明的各种系统、方法和实施例，可以基于各种因素(不仅包括损耗循环，而且还包括温度和/或其它因素)来增加或减小电平宽度，以当各种因素，例如温度和/或编程/擦除循环和/或其它因素发生变化时维持目标电平宽度。由此，可以在各种环境条件及/或用户工作负荷下维持特定系统特性(例如，QoS，错误率等)。

附图说明

将从下文所给出的详细描述且从本发明的各种实施例的附图更充分地理解本发明。

图1说明根据本发明的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。

图2说明根据本发明的一些实施例的对存储器单元进行编程的实例。

图3说明根据本发明的一些实施例的与编程过程相关联的阈值电压分布。

图4A到4B说明根据本发明的一些实施例的其特性可与调整电平宽度相关联地进行调整的实例编程步阶。

图4C说明对应于根据本发明的一些实施例编程的存储器单元的阈值电压分布之间的电平宽度。