[发明专利]双管芯器件测试电路、方法及系统

说明书

本发明涉及一种双管芯器件测试电路、方法及系统。双管芯器件测试电路包括待测器件、电压源和开关电路。电压源包中的第一浮动电压源包括第一驱动电压输出端、第一感应电压输出端和第一公共电压输出端，第二浮动电压源包括第二驱动电压输出端、第二感应电压输出端和第二公共电压输出端。开关电路包括多个开关管，每一输出端与开关管一一对应电连接，第一驱动电压输出端通过开关管可与第一管芯的栅极电连接，第一感应电压输出端通过开关管可与第一管芯的源极以及第二公共电压输出端分别电连接，第二驱动电压输出端通过开关管可与第二管芯的栅极电连接，第二感应电压输出端通过开关管可与第二管芯的源极以及第一公共电压输出端分别电连接。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路测试技术领域，特别是涉及一种双管芯器件测试电路、方法及系统。

背景技术

在集成电路测试领域，常规的MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应管)晶圆的测试，需要配置有模拟电压/电流源表的自动测试设备和载放晶圆的专用设备—探针台。从吸盘(Chuck台)的同一点引出两根导线，分别作为MOSFET衬底漏极的驱动电压和感应电压信号线。MOSFET晶圆的顶面是各个管芯的源极、栅极，通过探针卡将这些电极引出，探针分别设置为驱动电压信号和感应电压信号探针。但对于双管芯的Dual Gate(双栅)MOSFET器件，器件晶圆的顶面是一颗双管芯的源极、栅极，而器件的漏极属于厚片产品，漏极表面会有很大的电阻Rb，同时还有漏极衬底与吸盘的接触电阻Rc等因素，器件工艺特性，如果从吸盘施加电压或者电流至漏极，因为Rb和Rc问题，电压与电流是无法正常流过到器件端，所以按照常规的测试方法无法进行搭接，测试参数使用新的测试方法来解决，测试需要两套硬件线路，硬件必须是浮动源来实现测试。

如图1所示，现有技术实现Dual Gate测试连接关系，只有一套硬件设备，通过开关把Gate，Source连接到要测试器件的Gate；Source信号上，硬件设备的Drain输出接口连接到未测试器件的Source信号上；同时需要开关连接在未测试器件的Gate；Source信号并联一组电池，来完成测试。如果在做多工位测试时，需要倍数的继电器来切换，进行串行测试，导致测试的时间更长，因此当前的多工位测试无法提高测试效率。

发明内容

基于此，有必要针对无法提高双管芯器件的测试效率的问题，提供一种双管芯测试电路、方法和系统。

本发明提供了一种双管芯器件测试电路，包括：

待测器件，包括第一管芯和第二管芯；

电压源，包括第一浮动电压源和第二浮动电压源，其中所述第一浮动电压源包括第一驱动电压输出端、第一感应电压输出端和第一公共电压输出端，所述第二浮动电压源包括第二驱动电压输出端、第二感应电压输出端和第二公共电压输出端；以及

开关电路，包括多个开关管，每一所述输出端与所述开关管一一对应电连接，所述第一驱动电压输出端通过所述开关管可与所述第一管芯的栅极电连接，所述第一感应电压输出端通过所述开关管可与所述第一管芯的源极以及所述第二公共电压输出端分别电连接，所述第二驱动电压输出端通过所述开关管可与所述第二管芯的栅极电连接，所述第二感应电压输出端通过所述开关管可与所述第二管芯的源极以及所述第一公共电压输出端分别电连接。

在其中一个实施例中，所述测试电路还包括两个辅助电源，每一所述辅助电源串联设置于一个所述管芯的栅极与源极之间。

在其中一个实施例中，所述开关管继电器

在其中一个实施例中，所述开关电路为电子继电器选择开关电路。

在其中一个实施例中，所述开关电路为电子继电器选择开关矩阵。

在其中一个实施例中，所述测试电路还包括：