[发明专利]一种优化的三模冗余加固电路结构有效

专利信息
申请号: 201911239200.1 申请日: 2019-12-06
公开(公告)号: CN111177985B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 孙玉焕;黄高中;徐烈伟;俞军 申请(专利权)人: 上海复旦微电子集团股份有限公司
主分类号: G06F30/30 分类号: G06F30/30
代理公司: 中国和平利用军工技术协会专利中心 11215 代理人: 刘光德;彭霜
地址: 200438 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 优化 冗余 加固 电路 结构
【说明书】:

发明提出一种优化的三模冗余加固电路结构,涉及三模冗余电路优化技术领域,能够更好地改善现有技术中面积和功耗上的浪费情况。所述电路结构包括:COMB1一端连接DATA_IN_TMRO,另一端与DFF1和VOTER5的一端连接;所述DFF1一端连接CLKTMRO,另一端与VOTER1和VOTER2的一端连接;所述VOTER1的一端还与DFF2的一端和DFF5的另一端连接,所述VOTER1的另一端与COMB3的一端连接;所述COMB3的另一端与DFF3和VOTER6的一端连接;所述DFF3的一端输入CLK_TMRO,所述DFF3的另一端与VOTER3的一端、VOTER7的一端连接;所述VOTER3的一端还与DFF4的一端、DFF6的一端连接,所述VOTER3的另一端连接DATAOUTTMRO;还包括COMB2,所述COMB2的一端连接DATA_IN_TMR1,另一端与DFF2的一端和所述VOTER5的一端连接;所述DFF2的一端连接CLK_TMR1,另一端与所述VOTER2的一端连接。

技术领域

本发明涉及三模冗余电路优化技术领域,尤其涉及一种优化的三模冗余加固电路结构。

背景技术

一般来说,对集成电路设计SEU(单粒子翻转)加固的方法可以分为两类:一种是建立DICE(dual interlocked cell,DICE)即双立互锁单元库,一种是TMR(triple-modularredundancy,TMR)即三模冗余方法。

TMR主要采用软件方法,将输入网表变成三份,从而达到抗辐照的目的,其优点是自动化程度高,开发周期短,缺点是抗辐照性能不如建立抗辐照单元库,同时面积和功耗增加很多。如果全部采用TMR模式无疑会增加很多面积和功耗。

为此我们引入DMR(dual-modularredundancy,DMR)即两模冗余模式和自我反向锁存的三路选择器来实现TMR的效果。其中三路数据判决器简称Voter,是一种三输入单输出单元。输出为Z,三个输入为A,B,C。A、B、C三个输入中的任意两个为高时Z输出高电平,反之Z输出为低电平。模块功能函数为Z=AB+AC+BC。

传统的三模冗余方案,参见图1,寄存器和组合逻辑的电路都复制三份,两两之间增加大数据判决器Voter。使用三份完全一样的电路,输入相同,三份输出连接到数据判决器。当三份电路中的任意一路受到单粒子轰击产生错误时,另外两份的输出依然能保持正确,那么经过数据判决器Voter,如果两个输入相同,那么输出就是该值的输出结果就保持不变。

当其中任意一份的组合逻辑上出现单粒子翻转,导致那一份的寄存器采到错误的数据传给数据判决器Voter的一端,但是另外两份的寄存器仍能采到正确的数据,所以数据判决器Voter输出正确的值。

传统的三模冗余TMR技术是对所有的敏感节点实现三模冗余,从而达到抗辐照的效果。随着设计复杂程度的增加,设计的规模也越来越大,如果使用三模冗余,会需要更大的面积,也会带来更大的功耗。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提出了一种优化的三模冗余加固电路结构,能够更好地改善现有技术中面积和功耗上的浪费情况。

本发明采用以下技术方案:

一种优化的三模冗余加固电路结构,所述电路结构包括:

COMB1,所述COMB1一端连接DATA_IN_TMRO,另一端与DFF1和VOTER5的一端连接;所述DFF1一端连接CLKTMRO,另一端与VOTER1和VOTER2的一端连接;所述VOTER1的一端还与DFF2的一端和DFF5的另一端连接,所述VOTER1的另一端与COMB3的一端连接;所述COMB3的另一端与DFF3和VOTER6的一端连接;所述DFF3的一端输入CLK_TMRO,所述DFF3的另一端与VOTER3的一端、VOTER7的一端连接;所述VOTER3的一端还与VOTER7的一端、VOTER4的一端连接,所述VOTER3的另一端连接DATAOUTTMRO;

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