[发明专利]一种以高硅固废为原料流延成型制备脱盐用疏水多孔堇青石陶瓷膜的方法

权利要求书

1.一种以高硅工业固体废弃物为原料低成本制备脱盐用疏水多孔堇青石陶瓷膜，其特征在于，按下述步骤进行：

(1)将水洗后的固体废弃物在540℃下活化一小时

(2)将活化后的固体废弃物与氧化镁，氧化铝，以MgO：Al₂O₃：固废：为13.6％：35％：51.4％的质量分数配置形成堇青石原料A；

(3)将步骤(2)得到的原料A经湿磨，干燥，粉碎，得到原料B；

(4)将粘结剂聚醚砜(PESf)，分散剂聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，有机溶剂氮甲基吡咯烷酮(NMP)球磨得到均匀有机溶液C；其中，PESf，NMP，PVP质量比为5：40：0.7；

(5)将步骤(4)得到的C和原料B混合球磨得到混合均匀的陶瓷浆料，经去气化处理得到陶瓷浆料D；

(6)将步骤(5)得到的陶瓷浆料D在流延机上进行流延成型得到陶瓷膜前驱体E；

(7)将步骤(6)得到的陶瓷膜前驱体E放入水中进行相转化后放于空气氛围干燥得到陶瓷膜坯体W；相转化时间为24h；

(8)将步骤(7)得到的陶瓷膜坯体W煅烧得到陶瓷膜X；温度为1310℃，时间为5h；

(9)将步骤(8)得到的陶瓷片X在疏水修饰剂中浸泡接枝24h,得到陶瓷膜Y。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1)中，所述的固体废弃物经过水洗去除其他氧化物杂质，最后干燥得到的工业废渣，干燥温度为120℃，干燥时间3h-5h。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1)中，所述的活化在马弗炉中进行。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3)中，所述的球磨时间为4h。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤3)中，干燥温度为100℃，干燥时间24h。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤5)中，原料B：PESf的质量比例为8:1-9:1。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤6)中，流延参数为刮刀高度2mm，刮刀运行速率6mm/S。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：疏水修饰剂组成为氟硅烷1.2ml溶于10ml乙醇溶液。