[发明专利]一种降低PERC太阳电池载流子衰减的方法、设备及PERC电池有效
申请号: | 201911231256.2 | 申请日: | 2019-12-05 |
公开(公告)号: | CN110993734B | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 杨苏平;黄石明;曾超;方结彬;林纲正;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/068 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 528000 广东省佛山市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 perc 太阳电池 载流子 衰减 方法 设备 电池 | ||
本发明公开了一种降低PERC太阳电池载流子衰减的方法,其包括:(1)降低太阳电池的光致衰减;(2)将降低光致衰减的太阳电池预热至150‑450℃;(3)将太阳电池在第一温度范围内进行第一光照处理,持续第一时间;(4)将太阳电池在第二温度范围内进行第二光照处理,持续第二时间;(5)将所述太阳电池降温冷却;其中,所述第一温度范围的最高温度≥所述第二温度范围的最高温度;所述第一时间≤所述第二时间。本发明通过预热、高温光热处理、低温光热处理、降温的工序,有效排H并促进H和B‑O复合体由不稳定态再生恢复为钝化稳定态,从而有效降低太阳电池的CID衰减率。
技术领域
本发明涉及PERC太阳电池领域,尤其涉及一种降低PERC太阳电池载流子衰减的方法、设备及PERC电池。
背景技术
随着光伏行业的快速发展,太阳电池主流产品已从传统铝背场电池全面切换到高效PERC电池,转换效率大幅提升。然而,随着电池效率的不断刷新,高效太阳电池组件质量和可靠性要求也日趋严格,而载流子诱导衰减(CID:Carrier Induced Degradation)已逐渐成为制约光伏产业发展的关键问题之一。
CID是指太阳能电池及组件在载流子注入的过程中引起的功率衰减现象。目前对有关这种载流子引起的衰减机理尚未达成共识,且相关的监控标准尚未制定和实行。光伏业内目前对CID机理推测含以下几种原因:1)光致衰减(LID:light InducedDegradation):电池在光照过程中引起的功率衰减,业内普遍认为LID主要受硼氧复合体和铁硼对引起,硼氧缺陷态理论相对比较成熟。其衰减可达到3-7%,有些甚至可高达10%;2)光热衰减(LeTID:Light and elevated Temperature Induced Degradation):是指电池在高温以及光照条件下引起的功率衰减;其衰减可达到10%左右;3)氢致衰减(HID:HydrogenInduced Degradation),钝化杂质和缺陷部位的氢键很容易由于高温和光照受到破坏,氢进入硅片体内,过多的氢诱发形成复合中心引起衰减;4)金属溶解分散理论,金属沉淀在高温快烧的过程中分散形成间隙金属离子,金属原子可激活杂质,引起衰减。
在现有技术中,多集中于对LID衰减的研究,如专利CN105552173B提供了一种降低B掺杂晶硅太阳电池光致衰减的方法,其在不同温度下采用不同光强对硅片进行不同时间的光照处理,有效降低了LID;又如专利CN109616555A提供了一种提高太阳能电池抗光衰能力的方法,其在不同温度下向电池片注入递减式电流,将LID降低至0.9%。
然而,LeTID、氢致衰减以及金属杂质造成的衰减与LID并不相同;LID的测试温度比较低,无法充分暴露PERC电池高温衰减的风险。发明人通过测试,发现常规的硅片在经过LID处理以后,LID虽然降低到了1%左右,但CID仍然在2-4%左右,可见现有的LID处理措施无法有效降低CID衰减,因此如何充分降低PERC的CID衰减是业界亟需解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于,提供降低PERC太阳电池载流子衰减的方法,其能有效降低太阳电池CID衰减,提升电池效率和可靠性。
本发明还要解决的技术问题在于,提供一种降低PERC太阳电池载流子衰减的设备。
本发明还要解决的技术问题在于,提供一种PERC太阳电池,其转化效率高,可靠性高。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种降低PERC太阳电池载流子衰减的方法,其包括:
(1)降低太阳电池的光致衰减;
(2)将降低光致衰减的太阳电池预热至150-450℃;
(3)将太阳电池在第一温度范围内进行第一光照处理,持续第一时间;
(4)将太阳电池在第二温度范围内进行第二光照处理,持续第二时间;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东爱旭科技有限公司,未经广东爱旭科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911231256.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:去上皮细胞羊膜的制备方法
- 下一篇:一种电网设备数据采集工具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的