[发明专利]衬底的加工方法在审
| 申请号： | 201911193755.7 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112864072A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 潘强;胡天保 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 加工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种衬底的加工方法，该方法包括：
在衬底的第一表面设置介电薄膜，所述介电薄膜的相对介电常数大于所述衬底的相对介电常数；
将所述衬底设置于静电吸盘上，所述衬底的所述第一表面朝向所述静电吸盘；
对所述静电吸盘施加预定的电势，使所述衬底被所述静电吸盘吸附；以及
对所述衬底进行处理。
2.如权利要求1所述的方法，其中，
所述介电薄膜的相对介电常数为大于或等于10。
3.如权利要求1所述的方法，其中，
所述介电薄膜的厚度为10微米～150微米。
4.如权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，
所述介电薄膜的面向所述静电吸盘的一面不具有胶粘性。
5.如权利要求1所述的方法，其中，
所述介电薄膜的面向所述衬底的所述第一表面的一面不具有胶粘性。
6.如权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括：
在对所述衬底进行处理之后，去除所述介电薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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