[发明专利]一种适应于小信号高噪声的零温漂运算放大器在审

专利信息
申请号: 201911169917.3 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN110690860A 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 李爱夫;张春熹;高爽 申请(专利权)人: 湖南中部芯谷科技有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30
代理公司: 37282 青岛小度智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 周莉
地址: 421000 湖南省衡阳市雁*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 应用环境 高噪声 整形 运放 电子电路技术 信号缓冲放大 运算放大器 后级电路 输出缓冲 输出信号 输出 低温漂 电流镜 拾取 温漂 放大
【说明书】:

发明涉及电子电路技术领域,具体为一种高精度、零温漂运算放大器。其结构包括:电流镜(1),给后级电路提供高质量的电流;JFET输入差分对(2),完成对高噪声、小信号的拾取;JFET信号放大整形(3),实现对输入差分对(2)的输出信号整形和放大;输出缓冲(4),对(3)输出的信号缓冲放大输出。在小信号,高噪声应用环境中,运放具有低温漂的特性,尤其是针对特定的应用环境,本发明的运放具有很高的性能和可靠性。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域,具体为一种适应于小信号高噪声的零温漂运算放大器。

背景技术

在精密仪器、弱信号检测等自动控制仪表中,总是希望运算放大器的失调电压要小且不随温度的变化而变化。低温漂型运算放大器就是为此而设计的。当前常用的高精度、低温漂运算放大器有OP07、OP27、AD508及由MOSFET组成的斩波稳零型低漂移器件ICL7650等。

在小信号,高噪声应用环境中,且要求运放是低温漂型的,以上这些进口的放大器芯片还不能满足实际应用的需求。而且这些进口芯片也达不到军品等级的应用需求,在我国的武器核心装备上适用的运放芯片还受到美国的禁运,在国内,该类芯片还是空白。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于:针对目前低温漂型运放芯片在小信号、高噪声应用环境中存在的问题,采用 BCD JFET技术设计了一种适应于小信号高噪声的零温漂运算放大器,具有很高的性能。

本发明采用以下技术方案:

一种适应于小信号高噪声的零温漂运算放大器,包括:

电流镜(1),给后级电路提供高质量的电流;JFET输入差分对(2),完成对高噪声、小信号的拾取;JFET信号放大整形(3),实现对输入差分对(2)的输出信号整形和放大;输出缓冲(4),对(3)输出的信号缓冲放大输出。

作为本发明的进一步改进,所述电流镜(1)包括:P1 PMOS管,P2 PMOS管,组成一个电流镜,给(2)和(3)提供高质量的电流。

作为本发明的进一步改进:所述JFET差分对(2)电路包括:J1 JFET NMOS管,J2JFET NMOS管,N1 NMOS 管,组成差分输入对,完成对输入的高噪声、小信号的拾取,并通过尾流管N1 NMOS管对对差分输出电流的大小进行微调。

作为本发明的进一步改进,所述JFET整形(3)包括:J3 JFET NMOS管,N2 NMOS 弱管,实现对差分对(2)的输出信号整形和放大,N2 NMOS 弱管作为下拉管,用作当J3 JFETNMOS管关闭时,将其输出信号IN1下拉到逻辑低电平。

作为本发明的进一步改进,所述输出缓冲(4)包括:反相器IV1,反相器IV2,完成对(3)输出的信号进行缓冲放大,输出。

与现有技术相比,本发明的优点在于:采用 BCD JFET技术设计了一种适应于小信号高噪声的零温漂运算放大器,在小信号,高噪声应用环境中,运放具有低温漂的特性,尤其是针对特定的应用环境,本发明的运放具有很高的性能和可靠性。

附图说明

图1零温漂运算放大器逻辑框图。

图2电流镜逻辑原理图。

图3 JFET输入差分对逻辑原理图。

图4 JFET信号放大整形逻辑原理图。

图5输出缓冲逻辑图。

具体实施方式

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