[发明专利]一种用于深紫外LED光抽取效率提高的铝铑纳米颗粒阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201911162736.8 | 申请日： | 2019-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN110854252B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 黄凯;刘春雷 | 申请（专利权）人： | 厦门钜智光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 重庆天成卓越专利代理事务所(普通合伙) 50240 | 代理人： | 谭春艳 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 深紫 led 抽取 效率 提高 纳米 颗粒 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光抽取效率提高的深紫外LED，其特征在于：在深紫外LED表面沉积铝纳米颗粒阵列，在所述铝纳米颗粒阵列外进一步沉积有铑壳层。
2.根据权利要求1所述光抽取效率提高的深紫外LED，其特征在于：所述深紫外LED可采用波长在220nm-300nm之间的深紫外LED。
3.一种用于深紫外LED光抽取效率提高的铝铑纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于：首先在深紫外LED表面沉积铝纳米颗粒阵列，然后在同一台设备或不同的设备中进一步沉积铑壳层。
4.根据权利要求3所述用于深紫外LED光抽取效率提高的铝铑纳米颗粒阵列的制备方法，其特征在于：采用电子束蒸发、热蒸发、脉冲激光沉积方法中的一种沉积铝纳米颗粒阵列以及铑壳层。
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