[发明专利]发光器件及电子装置有效
申请号: | 201911157624.3 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN112952010B | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 南朋;李应文;马林楠 | 申请(专利权)人: | 陕西莱特光电材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 阚梓瑄 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 电子 装置 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括叠层设置的阳极、功能层及阴极,所述功能层设于所述阳极与所述阴极之间,且所述功能层包括叠层设置的第一空穴传输层及第二空穴传输层,所述第一空穴传输层包括化合物1-X,所述第二空穴传输层包括化合物2-Y;
所述化合物1-X的结构通式如式I-1所示:
所述化合物2-Y的结构通式如式I-2所示:
其中,n为1至5的整数;
Ad为取代或未取代的金刚烷基;
L和Ar2相同或不同,且分别独立地选自:单键、取代或未取代的碳原子数为6-30的亚芳基、取代或未取代的碳原子数为1-30的杂亚芳基;
X选自:氧、硫、C(R1)(R2),其中,R1和R2相同或不同,且分别独立地选自:氢、氘、取代或未取代的碳原子数为1-3的烷基;
Ar1、Ar3及Ar4相同或不同,且分别独立地选自:取代或未取代的碳原子数为6-30的芳基、取代或未取代的碳原子数为3-30的杂芳基;
其中,所述L、所述Ar1、所述Ar2、所述Ar3及所述Ar4的取代基相同或不同,且分别独立地选自氘、氰基、硝基、卤素、羟基、烷基、环烷基、杂环烷基、芳烷基、杂芳烷基、芳基、杂芳基、烷氧基、烷氨基、芳氨基、烷硫基、芳烷氨基、杂芳氨基。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述L和所述Ar2相同或不同,且分别独立地选自:单键、取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚联苯基。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述L和所述Ar2选自如下取代基所组成的组:
其中,*表示L用于与基团连接,**表示L用于与基团连接;或者
*表示Ar2用于与基团连接,**表示Ar2用于与基团连接。
4.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述Ar1、所述Ar3及所述Ar4相同或不同,且分别独立地选自:取代或未取代的碳原子数为6-25的芳基、取代或未取代的碳原子数为3-18的杂芳基。
5.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述Ar1选自如下基团所组成的组:
其中,*表示上述基团用于与式I中基团结合。
6.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述化合物1-X选自如下化合物所组成的组:
7.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述Ar3和所述Ar4相同或不同,且分别独立地选自如下基团所组成的组:
其中,*表示上述基团用于与式I中基团结合。
8.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述化合物2-Y选自如下化合物所组成的组:
9.根据权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述第一空穴传输层位于所述第二空穴传输层与所述阳极之间,所述第二空穴传输层位于所述第一空穴传输层与所述阴极之间,所述功能层还包括:
发光层,设于所述第二空穴传输层与所述阴极之间;
电子传输层,设于所述发光层与所述阴极之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择