[发明专利]显示面板及制备方法

权利要求书

1.一种显示面板，包括依次层叠设置的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层，其特征在于，所述电子传输层包括与所述发光层接触的第一电子传输层，以及与所述阴极层接触的第二电子传输层，所述第一电子传输层和所述第二电子传输层均包括Liq材料和ETM材料，且所述第一电子传输层中Liq材料的含量大于ETM材料的含量，所述第二电子传输层中Liq材料的含量小于所述ETM材料的含量，其中，所述ETM材料的导电性大于Liq材料的导电性，所述Liq材料为八羟基喹啉锂。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述ETM材料为氧杂噁唑，噻唑，三氮唑类化合物三-二氮嗪化合物，三氮杂苯化合物，喹喔啉化合物，二蒽化合物，含硅杂环化合物，喹啉类化合物，菲咯啉化合物，金属螯合物，氟取代的苯化合物中的任意一种。

3.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

依次堆叠形成阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层；

在所述发光层上形成第一电子传输层，所述第一电子传输层包括Liq材料和ETM材料，且所述第一电子传输层中Liq材料的含量大于ETM材料的含量，其中，所述ETM材料的导电性大于Liq材料的导电性，所述Liq材料为八羟基喹啉锂；

在所述第一电子传输层上形成第二电子传输层，所述第二电子传输层包括Liq材料和ETM材料，且所述第二电子传输层中Liq材料的含量小于ETM材料的含量；

在所述第二电子传输层上形成阴极层。

4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述发光层上形成第一电子传输层的步骤包括：

提供一蒸镀设备，所述蒸镀设备包括第一蒸发源和第三蒸发源，以及位于第一蒸发源和第三蒸发源之间的第二蒸发源，所述第一蒸发源和第三蒸发源中放置Liq蒸发材料，所述第二蒸发源中放置ETM蒸发材料；

将所述蒸镀设备移动到初始位置，所述第一蒸发源到所述发光层的蒸发距离小于所述第二蒸发源到所述发光层的蒸发距离，所述第三蒸发源到所述发光层的蒸发距离大于所述第二蒸发源到所述发光层的蒸发距离；

从初始位置向终点位置移动所述蒸镀设备，并向所述发光层蒸镀；

其中，所述初始位置是指所述第一蒸发源的蒸镀区最右侧的边缘接触到所述发光层的最左端的位置；所述终点位置是指所述第三蒸发源蒸镀区最左侧的边缘接触到所述发光层的最左端的位置。

5.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述第一电子传输层上形成第二电子传输层的步骤包括：

在第一蒸发源和第三蒸发源中放置ETM蒸发材料，第二蒸发源中放置Liq蒸发材料；

将所述蒸镀设备移动到初始位置，所述第一蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离小于所述第二蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离，所述第三蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离大于所述第二蒸发源到所述第一电子传输层的蒸发距离；

从初始位置向终点位置移动所述蒸镀设备，并向所述第一电子传输层蒸镀。

6.根据权利要求4所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述发光层上形成第一电子传输层的步骤包括：

提供一蒸镀设备，所述蒸镀设备包括第一蒸发源和第二蒸发源，所述第一蒸发源中放置有Liq蒸发材料，所述第二蒸发源中放置ETM蒸发材料；

将所述蒸镀设备移动到初始位置，此时，所述第一蒸发源到所述发光层的蒸发距离小于所述第二蒸发源到所述发光层的蒸发距离；

将所述蒸镀设备从初始位置移动终点位置、再从终点位置移动至初始位置、最后从初始位置移动至终点位置，以完成向所述发光层上蒸镀所述第一电子传输层的过程；

其中，所述初始位置是指所述第一蒸发源的蒸镀区最右侧的边缘接触到所述发光层的最左端的位置；所述终点位置是指所述第三蒸发源蒸镀区最左侧的边缘接触到所述发光层的最左端的位置。