[发明专利]一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法有效
申请号: | 201911154937.3 | 申请日: | 2019-11-22 |
公开(公告)号: | CN111061592B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 张鹏;栾晓娜;于俊杰;李杰;马宗峰;赵波 | 申请(专利权)人: | 山东航天电子技术研究所 |
主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G11C29/42 |
代理公司: | 青岛橡胶谷知识产权代理事务所(普通合伙) 37341 | 代理人: | 王哲平 |
地址: | 264003 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 通用 nand flash 比特 反转 纠错 方法 | ||
1.一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)根据Nand Flash参数确定RS编码的各个参数;
(2)使用确定参数的RS编码器对要写入Nand Flash的数据进行编码,形成有效信息码元与校验码元并将其写入Nand Flash的相应存储空间;
(3)使用确定参数的RS解码器对Nand Flash中存储的有效信息码元与校验码元进行纠检错。
2.根据权利要求1所述的一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法,其特征在于:Nand Flash的各个参数为页容量2m-1字节,ECC要求为a字节需b比特的ECC纠错能力。
3.根据权利要求2所述的一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法,其特征在于:所述RS(n,k),GF(2m)的各个参数设计过程包括以下步骤:
(1)确定RS编码使用的符号所包含的比特位数量:若页容量为2m-1字节,则每个符号所包含的比特位数量为m;
(2)确定RS编码码块中信息字符的长度:若页容量为2m-1字节,则码块中信息字符的长度k=2m-1;
(3)确定RS编码能够纠正的错误符号数:若Nand Flash要求的ECC纠错能力为a字节需b比特;
(4)确定RS编码码块的总长度n=k+2t。
4.根据权利要求3所述的一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法,其特征在于:在步骤(3)中,若Nand Flash要求的ECC纠错能力为a字节需b比特。
5.根据权利要求3所述的一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法,其特征在于:在步骤(3)中,若页容量2m-1能够被a整除,则需要纠正的错误符号数可纠正的错误比特位数为
6.根据权利要求4所述的一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法,其特征在于:
在步骤(3)中,若页容量2m-1不能够被a整除,则需要纠正的错误符号数可纠正的错误比特位数为
7.根据权利要求6所述的一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法,其特征在于,使用所述RS(n,k),GF(2m)编码进行编码的过程如下:
(1)以m位的位宽向RS编码器输入k个符号,若m大于8,则输入符号的低8位为有效数据,高位填充0;
(2)k个码元经过RS编码编码后形成n个符号的数据块,其中前k个符号为有效数据,将编码器输出的k个符号的低8位写入Nand Flash的DATA区域,高位忽略;后n-k个符号为校验字符,将其全部写入Nand Flash的OOB区域。
8.根据权利要求7所述的一种通用的Nand Flash比特位反转纠错方法,其特征在于,使用所述RS(n,k),GF(2m)解码器进行解码的过程如下:
(1)从Nand Flash的DATA区域取出有效数据,以m位的位宽向RS解码器输入k个符号,若m大于8,则输入符号的低8位为有效数据,高位填充0;
(2)从Nand Flash的OOB区域取出校验符号,将其输入至RS解码器;
(3)RS解码器输出的k个符号的低8位为经过RS解码器纠错后的有效数据。
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