[发明专利]陶瓷烧结体的制造方法、陶瓷烧结体和发光装置

权利要求书

1.一种陶瓷烧结体的制造方法，其包括：

将原料混合物在包含氮的气氛中在980℃以上且1680℃以下的范围内的温度下进行热处理而得到氮化物荧光体的工序，所述原料混合物包含含有选自Ba、Sr、Ca及Mg中的至少1种碱土金属元素M¹的第一化合物、含有选自Eu、Ce、Tb及Mn中的至少1种金属元素M²的第二化合物、和含有Si的化合物，并且所述第一化合物、所述第二化合物和所述含有Si的化合物为氮化物，

所述氮化物荧光体的组成中包含Si、N、选自Ba、Sr、Ca及Mg中的至少1种碱土金属元素M¹和选自Eu、Ce、Tb及Mn中的至少1种金属元素M²，并具有1摩尔组成中的碱土金属元素M¹与金属元素M²的合计摩尔比为2，金属元素M²的摩尔比为变量y与2的乘积，Si的摩尔比为5，N的摩尔比为8的组成，其中，变量y为0.001以上且不足0.5，且通过X射线衍射测定并使用Halder-Wagner法而算出的微晶尺寸为以下；

准备包含所述氮化物荧光体的成形体的工序；和

在1600℃以上且2200℃以下的范围内的温度下对所述成形体进行烧成来得到烧结体的工序。

2.根据权利要求1所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，将所述成形体进行烧成的温度为1600℃以上且2100℃以下的范围内。

3.根据权利要求1所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，将所述原料混合物进行热处理的温度为1350℃以上且1650℃以下的范围内。

4.根据权利要求1所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，所述包含氮的气氛中的氮气的含量为70体积％以上。

5.根据权利要求1所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，对所述原料混合物进行热处理的气氛的压力以表压计为0.2MPa以上且2.0MPa以下的范围内。

6.根据权利要求1或2所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，所述氮化物荧光体的所述微晶尺寸为以上且以下的范围内。

7.根据权利要求1或2所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，所述氮化物荧光体的根据费氏粒度测量法测定的平均粒径不足5.0μm。

8.根据权利要求1或2所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，所述成形体中的微晶尺寸为以下的氮化物荧光体的含量为95质量％以上。

9.根据权利要求1所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，所述成形体中的微晶尺寸为以下的氮化物荧光体的含量为99.5质量％以上。

10.根据权利要求1或2所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，所述氮化物荧光体具有下述式(I)所示的组成，

(M¹_1-yM²_y)₂Si₅N₈ (I)

式(I)中，M¹为选自Ba、Sr、Ca及Mg中的至少1种碱土金属元素，M²为选自Eu、Ce、Tb及Mn中的至少1种金属元素，y为满足0.001≤y＜0.5的数。

11.根据权利要求1或2所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，通过选自模具压制成形法、冷等静压加压法及浆料成形法中的至少1种方法来形成所述成形体。

12.根据权利要求11所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，将所述成形体进行形成的方法为模具压制成形法，模具压制成形时的压力为5MPa以上且50MPa以下的范围内。

13.根据权利要求1所述的陶瓷烧结体的制造方法，其中，通过气氛烧结法进行所述烧成。