[发明专利]一种后表面分区修饰的人工晶状体及其制备方法

权利要求书

1.一种后表面分区修饰的人工晶状体，其特征在于，所述人工晶状体包括光学部和襻，所述光学部后表面的中央区域为TGF-β2抗体多层纳米膜，其余周边区域为高粘性界面，所述TGF-β2抗体多层纳米膜的厚度为6.35～7.85nm，所述人工晶状体被植入眼内大于2周时，所述人工晶状体通过所述高粘性界面能够与晶状体囊膜紧密贴附。

2.如权利要求1所述的后表面分区修饰的人工晶状体，其特征在于，所述中央区域占所述光学部的直径1/2～2/3。

3.如权利要求1所述的后表面分区修饰的人工晶状体，其特征在于，所述TGF-β2抗体多层纳米膜的厚度为5～10nm。

4.一种后表面分区修饰的人工晶状体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

首先，对人工晶状体的光学部后表面进行等离子体预处理后，经漂洗吹干室温保存；

然后，采用静电层层自组装技术在经过等离子体预处理的光学区后表面中央区域构建TGF-β2抗体多层纳米膜，剩余周边区域为高粘性界面，获得后表面分区修饰的人工晶状体。

5.如权利要求4所述的后表面分区修饰的人工晶状体的制备方法，其特征在于，所述等离子体预处理为大气压下介质阻挡放电等离子体预处理和次大气压下介质阻挡放电等离子体预处理中的一种。

6.如权利要求5所述的后表面分区修饰的人工晶状体的制备方法，其特征在于，对人工晶状体的光学部后表面进行大气压下介质阻挡放电等离子体预处理时，以0.3～0.5m³/h的流速通氩气1min后，在电流频率10kHz、输入电压30～36V下放电处理40～60s。

7.如权利要求5所述的后表面分区修饰的人工晶状体的制备方法，其特征在于，对人工晶状体的光学部后表面进行次大气压下介质阻挡放电等离子体预处理时，将等离子体处理腔气压设置为2000Pa，调节气氛为空气模式，在电流频率10kHz、输入电压220V、功率70～80W下放电处理40～60s。

8.如权利要求4所述的后表面分区修饰的人工晶状体的制备方法，其特征在于，采用线性增长模式的聚赖氨酸/TGF-β2抗体静电层层自组装法在经过等离子体处理的光学区后表面中央区域构建TGF-β2抗体多层纳米膜。

9.如权利要求8所述的后表面分区修饰的人工晶状体的制备方法，其特征在于，构建TGF-β2抗体多层纳米膜的具体步骤包括：

(a)将等离子体预处理过的人工晶状体后表面朝上放置，中央区滴加1～2mg/mL聚乙烯亚胺溶液10～20μl，室温下平稳放置8～12h，随后以超纯水漂洗3次，每次3min，继之以氮气吹干；

(b)交替重复步骤(b-1)和(b-2)至少3次；

(b-1)将人工晶状体后表面朝上放置，中央部滴加50～200μg/ml TGF-β₂抗体溶液10～20μl，4℃下作用1h，随后以超纯水漂洗3次，每次3min，以氮气吹干；

(b-2)将人工晶状体后表面朝上放置，中央部滴加1～2mg/ml的聚赖氨酸溶液10～20μl，室温下作用30min，随后以超纯水漂洗3次，每次3min，以氮气吹干；

(c)将IOL后表面朝上放置，中央部滴加50～200μg/ml TGF-β₂抗体溶液10～20μl，4℃下作用1h，随后以超纯水漂洗3次，每次3min，并置于0.01mol/L磷酸盐缓冲液中4℃下保存备用。