[发明专利]一种提高Al2

权利要求书

1.一种提高Al₂O₃镀膜钝化效果的方法，其特征在于，所述方法包括：在硅片表面沉积Al₂O₃之后，直接进行红外加热处理，或者，在硅片表面沉积Al₂O₃之后先降温再进行红外加热处理；

所述红外加热的时间为3～10秒，红外加热的最大单位面积功率为31～41kW/m²，红外加热至温度大于150℃小于等于400℃；

所述红外加热处理开始时，硅片表面沉积的Al₂O₃层的温度为100～150℃；

所述方法还包括在对Al₂O₃层进行红外加热之后，沉积SiN_x镀膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在硅片表面沉积Al₂O₃的步骤包括：

硅片依次进入第一腔室进行抽真空、第二腔室进行预热、第三腔室进行Al₂O₃沉积；

其中，所述第一腔室与第二腔室隔断连通，第二腔室与第三腔室相通，所述隔断连通为：相邻腔室各自独立且能够通过打开隔断实现连通。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第一腔室抽真空至0.1～1mbar。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，硅片在第二腔室预热时的真空度为3～10mbar，硅片在第三腔室进行沉积Al₂O₃时的真空度为4～6mbar。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，硅片进入第三腔室进行Al₂O₃沉积之前，硅片表面形成厚度0.3～1nm的SiO_x。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述SiO_x是在空气中自然氧化形成的。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第二腔室进行预热的温度为150～400℃。

8.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第二腔室进行预热的方式为电加热、红外加热、或二者组合的方式加热。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，第二腔室进行预热采用电加热和红外加热组合的方式加热。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，以电加热的方式进行加热，然后启动红外加热，在3～10秒的时间内升高温度100～200℃，使第二腔室达到预热温度150～400℃。

11.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，第三腔室进行Al₂O₃沉积的方式包括原子层沉积方式或等离子体增强化学的气相沉积方式。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，沉积得到的Al₂O₃层的厚度为3～20nm。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，以原子层沉积方式沉积生长得到的Al₂O₃层的厚度为3～10nm。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，以等离子体增强化学的气相沉积方式沉积生长得到的Al₂O₃层的厚度为10～20nm。