[发明专利]一种蒸发源组件

说明书

本发明公开了一种蒸发源组件，其由至少两个蒸发源组成，每个蒸发源包括本体和设置在本体上的喷嘴，其中至少一个所述的蒸发源的喷嘴上端面高于其它蒸发源的喷嘴上端面。本申请，可通过使蒸镀速率较小的喷嘴上端面所处高度高过蒸镀速率较大的喷嘴上端面所处高度，使速率较大的喷嘴气流协助速率较小的喷嘴气流的升华，从而促进不同材料气体的掺杂，提高掺杂材料的利用率，降低蒸镀成本。

技术领域

本发明涉及属于蒸镀技术领域，更具体的说是涉及一种蒸发源组件。

背景技术

当制作AMOLED的有机发光层的时候，一般由一种主体材料（host）和一种掺杂材料（dopant），或者一种主体材料和两种掺杂材料，或者两种主体材料和一种掺杂材料等材料组合蒸镀而成。

由于各种材料的合成和提纯工艺不同，不同材料之间的单价相差很大，比如掺杂材料的单价是主体材料的10倍甚至100倍不等。主体材料和掺杂材料在每一层有机发光层中材料的占比不同，一般掺杂材料只有主体材料的1%~12%。

如图1所示，现有蒸发源组件包括本体1’和设置在本体上的喷嘴12’。本体1’包括壳体101、嵌设在壳体上的坩埚、盖在壳体上的上盖102。现有的蒸发源组件，在实际蒸镀过程中掺杂不均匀、降低了掺杂材料的利用率，当前有机发光材料的蒸镀利用率只有5~30%，大部分沉积在蒸镀腔里而浪费，这也是造成AMOLED制作成本一直居高不下的主要原因之一。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种蒸发源组件，其由至少两个蒸发源组成，每个蒸发源包括本体和设置在本体上的喷嘴，其中至少一个所述的蒸发源的喷嘴上端面高于其它蒸发源的喷嘴上端面。

优选的，所述蒸发源组件包括A蒸发源、B蒸发源，所述B蒸发源喷嘴上端面高于A蒸发源喷嘴上端面。

优选的，所述A蒸发源喷嘴和B蒸发源喷嘴的水平距离为L，所述B蒸发源喷嘴上端面与A蒸发源喷嘴上端面的高度差为△h ，L·tan30°≤△h≤L·tan60°。

优选的，△h = L·tan45°

优选的，所述B蒸发源喷嘴长度与所述A蒸发源喷嘴长度相同，所述B蒸发源的本体上端面高于所述A蒸发源的本体上端面。

优选的，所述B蒸发源喷嘴长度大于所述A蒸发源喷嘴长度。

优选的，所述B蒸发源的本体与所述A蒸发源的本体等高，所述B蒸发源的本体下端面与所述A蒸发源的本体下端面平齐。

优选的，所述B蒸发源喷嘴处设置有加热器。

优选的，所述蒸发源组件包括A蒸发源、B蒸发源、A’蒸发源，所述B蒸发源位于A蒸发源和A’蒸发源之间，所述B蒸发源喷嘴上端面分别高于A蒸发源喷嘴上端面和A’蒸发源喷嘴上端面。

优选的，所述蒸发源组件包括A蒸发源、B蒸发源、B’蒸发源，所述A蒸发源位于B蒸发源和B’蒸发源之间，所述B蒸发源喷嘴上端面和B’蒸发源喷嘴上端面均高于A蒸发源喷嘴上端面。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：

本申请，可通过蒸镀速率较小的喷嘴上端面所处高度高过蒸镀速率较大的喷嘴上端面所处高度，使速率较大的喷嘴气流协助速率较小的喷嘴气流的升华，从而促进不同材料气体的掺杂，提高掺杂材料的利用率，降低蒸镀成本。

附图说明

图1是现有技术的一种蒸发源组件的结构示意图；

图2是本发明实施例一所述的一种蒸发源组件的结构示意图；

图3是本发明实施例一所述的一种蒸发源组件的俯视示意图；

图4是本发明实施例二所述的一种蒸发源组件的结构示意图；