[发明专利]具有改善放电的电荷泵电路和对应的放电方法在审
申请号: | 201911142815.2 | 申请日: | 2019-11-20 |
公开(公告)号: | CN111211682A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | F·德桑蒂斯;D·莱沃恩斯 | 申请(专利权)人: | 意法半导体股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 意大利阿格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改善 放电 电荷 电路 对应 方法 | ||
1.一种电荷泵电路,包括:
输入端子,被配置为接收输入电压;
输出端子;
在所述输入端子和所述输出端子之间彼此级联的多个电荷泵级,所述多个电荷泵级被配置为共同执行所述输入电压的升压,以在所述输出端子上提供相对于所述输入电压具有升压值的输出电压;
时钟发生器,所述时钟发生器被配置为生成具有第一频率值的时钟信号,所述时钟信号被提供给所述多个电荷泵级以执行所述输入电压的所述升压;
输出电压调节反馈闭环,所述输出电压调节反馈闭环耦合到所述时钟发生器,并且被配置为检测根据所述输出电压的反馈电压,并且被配置为生成被提供给所述时钟发生器的控制信号,以基于所述反馈电压来执行所述输出电压的调节;和
放电控制级,所述放电控制级被配置为通过生成第一放电控制信号或第二放电控制信号来控制所述电荷泵电路的放电,所述第一放电控制信号被配置为禁用所述输出电压调节反馈闭环,所述第二放电控制信号被配置为将所述时钟信号的频率从所述第一频率值降低到低于所述第一频率值的第二频率值。
2.根据权利要求1所述的电路,其中所述放电控制级被配置为生成所述第一放电控制信号和所述第二放电控制信号。
3.根据权利要求1所述的电路,其中所述第二频率值大于零,使得所述多个电荷泵级在所述电荷泵电路的放电期间执行升压操作。
4.根据权利要求1所述的电路,其中所述第二频率值被包括在所述第一频率值的1/20与1/10之间。
5.根据权利要求1所述的电路,其中所述输出电压调节反馈闭环包括:
电压检测级,所述电压检测级耦合至所述输出端子,并被配置为提供根据所述输出电压的所述反馈电压;和
比较器级,所述比较器级被配置为在所述反馈电压和参考电压之间执行比较,并基于所述比较生成所述控制信号,其中所述放电控制级被配置为通过进一步生成第三放电控制信号来控制所述电荷泵电路的放电,所述第三放电控制信号被配置为通过所述电压检测级引起所述输出端子上的电流负载的增加。
6.根据权利要求5所述的电路,其中所述电压检测级包括多个负载元件,所述多个负载元件被串联连接在所述输出端子与参考端子之间以形成分压器,所述反馈电压是在所述多个负载元件之间的中间节点处的电压,其中所述第三放电控制信号被配置为使所述多个负载元件中的第一负载元件短路。
7.根据权利要求6所述的电路,其中所述第三放电控制信号被配置为选择性地闭合与所述第一负载元件并联耦合的负载开关。
8.根据权利要求5所述的电路,其中所述第一放电控制信号被配置为禁用所述比较器级。
9.一种非易失性存储器设备,包括:
存储器阵列,包括多个存储器单元;和
电荷泵电路,所述电荷泵电路具有耦合到所述存储器阵列的输出端子,所述电荷泵电路被配置为生成针对第一存储器操作的经升压的输出电压,并且被配置为经受放电,以提供针对与所述第一存储器操作不同的第二存储器操作的低输出电压,所述低输出电压低于所述经升压的输出电压,其中所述电荷泵电路包括:
多个电荷泵级,耦合在所述电荷泵电路的输入端子与所述输出端子之间,
时钟发生器,被配置为向所述多个电荷泵级提供时钟信号,和
放电控制级,所述放电控制级被配置为通过生成第一放电控制信号或第二放电控制信号来使所述电荷泵电路放电,所述第一放电控制信号被配置为禁用所述电荷泵电路的反馈环路,所述第二放电控制信号被配置为降低所述时钟信号的频率。
10.根据权利要求9所述的设备,其中所述第一存储器操作包括写入操作,并且其中所述第二存储器操作包括读取操作。
11.根据权利要求9所述的设备,其中所述放电控制级被配置为生成所述第一放电控制信号和所述第二放电控制信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体股份有限公司,未经意法半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911142815.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有均匀的沉积行为的复合电极
- 下一篇:半导体结构的制造方法及电浆处理设备