[发明专利]一种基于poket结构的TFET器件

说明书

本发明公开了一种基于poket结构的TFET器件，包括衬底、晶化层、两个栅极、源极、漏极、两个栅介质层、硅基沟道和口袋，衬底、晶化层、两个栅极、源极、漏极、两个栅介质层、硅基沟道和口袋分别为长方体结构，晶化层固定设置在衬底上，晶化层的下端面与衬底的上端面贴合，源极、口袋、硅基沟道和漏极按照从左到右的顺序排布在晶化层上，第一栅介质层位于硅基沟道和口袋的前侧，第一栅极位于第一栅介质层的前侧，第二栅介质层位于硅基沟道和口袋的后侧，第二栅极位于第二栅介质层的后侧；优点是具有较大的导通电流，在集成电路设计领域应用时，采用较少的数量即可实现集成电路的大驱动电流，从而可以减小集成电路的面积和功耗。

技术领域

本发明涉及一种TFET器件，尤其是涉及一种基于poket结构的TFET器件。

背景技术

CMOS器件是半导体器件中最常用的开关。然而在近几年，当CMOS器件的尺寸达到纳米级别时，受亚阈值斜率(SS)、寄生效应和短沟道效应等限制，其功耗变得难以进一步降低。隧道场效应晶体管(TFET)器件相对于CMOS器件可以克服亚阈值摆幅(SS)的物理限制，目前已经成为降低电源电压和功耗的主要器件之一。然而，由于带间隧穿现象，TFET器件只能获得较低的导通电流，这大大限制了它在集成电路设计领域的应用，因此如何提高TFET器件的导通电流是目前亟待解决的问题。

TFET器件的导通电流取决于电子隧穿概率，而电子隧穿概率与隧穿距离成反比关系，故减小TFET器件的隧穿距离是增大其导通电流的关键。公开号为CN207542249U的中国专利中公开了一种传统的TFET器件，其结构如图1所示。该TFET器件中，当栅极接入电源时，源区价带和沟道区导带之间的能带将会靠近，从而减小隧穿距离，实现电子隧穿。但是，该TFET器件的材料为GeSn，由此其隧穿距离比较大，以致其导通电流比较小。当集成电路需要大驱动电流时，需要增加该TFET器件的数量来满足设计需求，最终导致集成电路面积和功耗的增加。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种基于poket结构的TFET器件，该TFET器件具有较大的导通电流，在集成电路设计领域应用时，采用较少的数量即可实现集成电路的大驱动电流，从而可以减小集成电路的面积和功耗。