[发明专利]低压降整流器

说明书

提供了一种低压降整流器。所述整流器包括二极管，所述二极管具有耦合在输入节点处的第一端和耦合在输出节点处的第二端。第一晶体管具有耦合在所述输入节点处的第一电流电极和耦合在所述输出节点处的第二电流电极。比较器具有耦合在所述输入节点处的第一输入、耦合在所述输出节点处的第二输入，以及耦合到所述第一晶体管的控制电极的输出。偏置电路耦合到比较器电路，并被配置成在所述比较器中产生偏置电流。

技术领域

本公开大体上涉及电子电路，且更具体地说，涉及低压降整流器。

背景技术

当今，诸如移动设备和其它小型设备的许多电子产品结合了单线通信系统，以在主机和从属设备之间协商命令。这些设备和/或单线通信电缆需要自供电，特别是在目标设备具有无电电池的情况下。然而，这样的单线系统可能是低效的并且容易遭受显著的功率损耗。因此，需要一种提高效率并减少损耗的单线系统。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种整流器电路，包括：

二极管，所述二极管具有耦合在输入节点处的第一端和耦合在输出节点处的第二端；

第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合在所述输入节点处的第一电流电极和耦合在所述输出节点处的第二电流电极；

比较器电路，所述比较器电路具有耦合在所述输入节点处的第一输入、耦合在所述输出节点处的第二输入，以及耦合到所述第一晶体管的控制电极的输出；以及

偏置电路，所述偏置电路耦合到所述比较器电路，所述偏置电路被配置成在所述比较器电路中产生偏置电流。

在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括电阻器，所述电阻器具有耦合在所述输入节点处的第一端和耦合到所述偏置电路的第二端。

在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括电容器，所述电容器具有耦合在所述输入节点处的第一端和耦合到所述偏置电路的第二端。

在一个或多个实施例中，所述第一晶体管表征为P沟道MOS场效应晶体管。

在一个或多个实施例中，所述比较器电路包括：

第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合在所述输入节点处的第一电流电极；

第三晶体管，所述第三晶体管具有在第一节点处耦合到所述第二晶体管的第二电流电极和控制电极的第一电流电极；

第四晶体管，所述第四晶体管具有耦合在所述输出节点处的第一电流电极和耦合在所述第一节点处的控制电极；以及

第五晶体管，所述第五晶体管具有在第二节点处耦合到所述第四晶体管的第二电流电极和所述第一晶体管的控制电极的第一电流电极。

在一个或多个实施例中，所述偏置电路包括以电流镜配置耦合到所述第三晶体管和所述第五晶体管的第六晶体管，所述第六晶体管具有在第三节点处耦合到所述第三晶体管和所述第五晶体管的控制电极的第一电流电极和控制电极。

在一个或多个实施例中，所述第三晶体管、第五晶体管和第六晶体管被配置成具有大约相同的宽度尺寸。

在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括耦合在所述输出节点和第一电压源之间的外部电容器。

在一个或多个实施例中，所述电路进一步包括电阻器，所述电阻器具有耦合在所述输出节点处的第一端和耦合到所述外部电容器的第一端的第二端。

根据本发明的第二方面，提供一种整流器电路，包括：

二极管，所述二极管具有耦合在输入节点处的阳极端和耦合在输出节点处的阴极端；

第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合在所述输入节点处的第一电流电极和耦合在所述输出节点处的第二电流电极；