[发明专利]低压降整流器

权利要求书

1.一种整流器电路，其特征在于，包括：

二极管，所述二极管具有耦合在输入节点处的第一端和耦合在输出节点处的第二端；

第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合在所述输入节点处的第一电流电极和耦合在所述输出节点处的第二电流电极；

比较器电路，所述比较器电路具有耦合在所述输入节点处的第一输入、耦合在所述输出节点处的第二输入，以及耦合到所述第一晶体管的控制电极的输出；以及

偏置电路，所述偏置电路耦合到所述比较器电路，所述偏置电路被配置成在所述比较器电路中产生偏置电流；

所述比较器电路包括：

第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合在所述输入节点处的第一电流电极；

第三晶体管，所述第三晶体管具有在第一节点处耦合到所述第二晶体管的第二电流电极和控制电极的第一电流电极；

第四晶体管，所述第四晶体管具有耦合在所述输出节点处的第一电流电极和耦合在所述第一节点处的控制电极；以及

第五晶体管，所述第五晶体管具有在第二节点处耦合到所述第四晶体管的第二电流电极和所述第一晶体管的控制电极的第一电流电极。

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括电阻器，所述电阻器具有耦合在所述输入节点处的第一端和耦合到所述偏置电路的第二端。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括电容器，所述电容器具有耦合在所述输入节点处的第一端和耦合到所述偏置电路的第二端。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一晶体管表征为P沟道MOS场效应晶体管。

5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述偏置电路包括以电流镜配置耦合到所述第三晶体管和所述第五晶体管的第六晶体管，所述第六晶体管具有在第三节点处耦合到所述第三晶体管和所述第五晶体管的控制电极的第一电流电极和控制电极。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述第三晶体管、第五晶体管和第六晶体管被配置成具有大约相同的宽度尺寸。

7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，进一步包括耦合在所述输出节点和第一电压源之间的外部电容器。

8.一种整流器电路，其特征在于，包括：

二极管，所述二极管具有耦合在输入节点处的阳极端和耦合在输出节点处的阴极端；

第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合在所述输入节点处的第一电流电极和耦合在所述输出节点处的第二电流电极；

比较器电路，所述比较器电路具有耦合在所述输入节点处的第一输入、耦合在所述输出节点处的第二输入，以及耦合到所述第一晶体管的控制电极的输出；以及

偏置电路，所述偏置电路耦合到所述比较器电路，所述偏置电路被配置成在所述比较器电路中产生偏置电流；

所述比较器电路包括：

第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合在所述输入节点处的第一电流电极；

第三晶体管，所述第三晶体管具有在第一节点处耦合到所述第二晶体管的第二电流电极和控制电极的第一电流电极；

第四晶体管，所述第四晶体管具有耦合在所述输出节点处的第一电流电极和耦合在所述第一节点处的控制电极；以及

第五晶体管，所述第五晶体管具有在第二节点处耦合到所述第四晶体管的第二电流电极和所述第一晶体管的控制电极的第一电流电极。

9.一种整流器电路，其特征在于，包括：

二极管，所述二极管具有耦合在输入节点处的阳极端和耦合在输出节点处的阴极端；

第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合在所述输入节点处的第一电流电极和耦合在所述输出节点处的第二电流电极；

第二晶体管，所述第二晶体管具有在第一节点处耦合在一起的第一电流电极和控制电极，以及耦合在第一电压源处的第二电流电极；以及

比较器电路，所述比较器电路耦合到所述第一节点，所述比较器电路具有耦合在所述输入节点处的第一输入、耦合在所述输出节点处的第二输入以及耦合到所述第一晶体管的控制电极的输出；

所述比较器电路包括：

第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合在所述输入节点处的第一电流电极；

第三晶体管，所述第三晶体管具有在第一节点处耦合到所述第二晶体管的第二电流电极和控制电极的第一电流电极；

第四晶体管，所述第四晶体管具有耦合在所述输出节点处的第一电流电极和耦合在所述第一节点处的控制电极；以及

第五晶体管，所述第五晶体管具有在第二节点处耦合到所述第四晶体管的第二电流电极和所述第一晶体管的控制电极的第一电流电极。