[发明专利]一种MOS管电源电路、控制方法、电子设备及存储介质

说明书

本发明实施例提供一种MOS管电源电路、控制方法、电子设备及存储介质。所述电路包括：第一与门的第一输入端与PWM驱动控制器的UGATE连接，第一与门的第二输入端连接第一非门的输出端，第一与门的输出端连接上MOS管的栅极和第二非门的输入端；第二与门的第一输入端与PWM驱动控制器的LGATE连接，第二与门的第二输入端连接第二非门的输出端，第二与门的输出端连接下MOS管的栅极和第一非门的输入端；第一保护电路与第一非门的输入端连接，第二保护电路与第二非门的输出端连接。本发明实施例从硬件上解决上下MOS同时导通问题，大幅度降低死区时间，理论上可以达到无死区的效果。

技术领域

本发明实施例涉及电子通信技术领域，具体涉及一种MOS管电源电路、控制方法、电子设备及存储介质。

背景技术

目前，针对电源输出电流较大的电源设计方案，通常采用分离式设计，即将集MOS管(Metal Oxide Semiconductor，简称MOS管)和脉冲宽度调制(Pulse Width Modulation，PWM)驱动芯片从集成芯片中分离出来。该设计方案会使MOS管有更好更大的散热空间，从而使电源可以输出更大的电流。图1为现有技术中上下MOS管电路示意图，如图1所示，MOS管包括N沟道MOS管和P沟道MOS管，图1所示为N沟道MOS管，P沟道MOS管的方向与N沟道相反，无论是N沟道MOS管或P沟道MOS管均包括源极(S极)、漏极(D极)和栅极(G极)，以降压式变换电路buck电源为例，电源在工作时，也就是上下MOS管交替开关的过程。但在该过程中，为了避免上下MOS管同时开启，导致MOS管过流击穿烧毁，通常都会有很短的一段时间是上下MOS管同时处于关闭状态，该段时间称之为“死区”时间。死区时间越短，电源性能及稳定性越好。

目前，采用的控制方案都是软件上做控制防止上下MOS管同时导通。该方法无法从硬件上杜绝上下MOS管同时导通的问题。

因此如何从硬件上控制PWM驱动芯片，调整MOS管间的导通状态，减少死区，避免上下MOS管同时导通，成为亟待解决的重要课题。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明实施例提供了一种MOS管电源电路、控制方法、电子设备及存储介质。

第一方面，本发明实施例提供一种MOS管电源电路，包括：上MOS管，下MOS管，脉冲宽度调制PWM驱动控制器、第一与门、第二与门、第一非门和第二非门、第一保护电路和第二保护电路；

所述第一与门的第一输入端与所述PWM驱动控制器的高驱动端UGATE连接，所述第一与门的第二输入端连接所述第一非门的输出端，所述第一与门的输出端连接所述上MOS管的栅极和所述第二非门的输入端；

所述第二与门的第一输入端与所述PWM驱动控制器的低驱动端LGATE连接，所述第二与门的第二输入端连接所述第二非门的输出端，所述第二与门的输出端连接所述下MOS管的栅极和所述第一非门的输入端；

所述第一保护电路与所述第一非门的输入端连接，所述第二保护电路与所述第二非门的输出端连接。

如上述电路，可选地，所述第一保护电路包括：第一下拉电阻，所述第一下拉电阻的一端连接所述第一非门的输入端，所述第一下拉电阻的另一端接地；

所述第二保护电路包括：第二下拉电阻，所述第二下拉电阻的一端连接所述第二非门的输出端，所述第二下拉电阻的另一端接地。

如上述电路，可选地，所述第一下拉电阻和所述第二下拉电阻的阻值均为10K欧姆。

如上述电路，可选地，还包括：升压电路；

所述升压电路连接所述第一与门的输出端与所述上MOS管的栅极。

如上述电路，可选地，还包括：第一电容和第二电容；

所述第一电容的一端连接所述第一非门的输入端，所述第一电容的另一端接地；