[发明专利]一种MoS2

说明书

本发明通过水热合成法将四水合钼酸铵，硫代乙酰胺和CTAB均匀分散在去离子水中。之后，将获得的溶液转移至带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中，高温加热，自然冷却至室温后，将黑色产物离心分离，并用去离子(DI)水和无水乙醇洗涤数次，然后下真空干燥得到MoS₂复合碳纳米片，该方法简单易于规模化生产。

技术领域

本发明属于纳米材料合成领域，具体涉及了一种MoS₂复合碳纳米片的制备方法。

背景技术

近年来，二维层状过渡金属硫化物由于可以对其形貌、层数、晶格结构等进行调控来改进其物理化学特性，而得到了广泛关注和研究与其他碳材料(碳微球、碳纳米棒、碳布、碳纳米纤维)相比，CTAB具有更高的电导率、更大的比表面积、更好的柔韧性以及独特的晶格相容性，可为MoS₂纳米片的原位生长、形貌和表面控制、电荷路径设计等提供巨大的机会，由此获得的MoS₂复合碳纳米片显示了与众不同的特性。通过简单水热合成法，成功制备出 MoS₂碳纳米片复合材料。

发明内容

本发明以水热合成法一步合成了MoS₂复合碳纳米片，合成工艺简单。

本发明的技术方案如下：

在磁力搅拌下将0.1～2mmol四水合钼酸铵，10～50mmol硫代乙酰胺和1～5mmolCTAB (均匀分散在70mL去离子水中。之后，将获得的溶液转移至带有100mL聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中，并在180℃下加热12～36h。自然冷却至室温后，将黑色产物离心分离，并用去离子(DI)水和无水乙醇洗涤3次，然后在80℃下真空干燥6～24h得到碳纳米片。

本发明中所述在于通过在氩气气氛下以1～10℃·min^-1的加热速率在高温下煅烧1～5h来获得样品。

本发明中所述一种纳米片的制备方法，其特征在于添加1～5mmol CTAB的情况下被表示为MoS₂复合碳纳米片。

本发明中所述一种纳米片的制备方法，其特征在于所述高温煅烧温度为450～650℃。

本发明中所述的碳纳米片的制备方法简单易于规模化生产。

附图说明

图1为实施例1中制备的碳纳米片的扫描电镜图片。

图2为实施例2中制备的碳纳米片的扫描电镜图片。

图3为实施例3中制备的碳纳米片的扫描电镜图片。

具体实施方式

实施例1

称取0.1mmol四水合钼酸铵，10mmol硫代乙酰胺，1mmol CTAB置于70M1的去离子水中均匀分散，将获得的溶液转移至带有100mL聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中，并在180℃下加热24小时。自然冷却至室温后，将黑色产物离心分离，并用去离子(DI)水和无水乙醇洗涤3次，然后在80℃下真空干燥6h得到碳纳米片。

实施例2

称取1mmol四水合钼酸铵，30mmol硫代乙酰胺，3mmol CTAB置于70M1的去离子水中均匀分散，将获得的溶液转移至带有100mL聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中，并在180℃下加热24小时。自然冷却至室温后，将黑色产物离心分离，并用去离子(DI)水和无水乙醇洗涤3次，然后在80℃下真空干燥12h得到碳纳米片。

实施例3

称取2mmol四水合钼酸铵，50mmol硫代乙酰胺，5mmol CTAB置于70M1的去离子水中均匀分散，将获得的溶液转移至带有100mL聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中，并在180℃下加热24小时。自然冷却至室温后，将黑色产物离心分离，并用去离子(DI)水和无水乙醇洗涤3次，然后在80℃下真空干燥24h得到碳纳米片。