[发明专利]一种导电高分子/五氧化二铌异质结的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种导电高分子/五氧化二铌异质结的制备方法，其特征在于，所述方法是以铌箔作为前驱体，水热法制备Nb₂O₅纳米棒阵列；然后采用原位聚合的方法制备导电高分子/Nb₂O₅异质结；所述原位聚合是在质子酸溶液体系中进行的；所述质子酸为没食子酸，质子酸浓度为0.5 mol/L-0.8 mol/L。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述导电高分子为聚苯胺、聚吡咯或者聚噻吩。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，采用水热法制备Nb₂O₅纳米棒阵列具体是：将清洗后的铌箔放入过氧化氢溶液中，然后加入矿化剂，充分混合，放入水热釜中100-200℃保持10-24h，后冷却至室温，在铌箔表面获得Nb₂O₅纳米棒阵列。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，过氧化氢溶液中过氧化氢和去离子水的体积比为（1-2）：1，所述矿化剂为NH₄F。

5.根据权利要求1、2或4任一所述的制备方法，其特征在于，采用原位聚合方法制备导电高分子/Nb₂O₅异质结是：将导电单体加入质子酸溶液中分散均匀，加入生长有Nb₂O₅纳米棒阵列的铌箔，静置1-4 h，混合液温度保持在-4~0℃；加入过硫酸铵到质子酸溶液中，配制成含过硫酸铵的质子酸溶液；再将含过硫酸铵的质子酸溶液加入到上述混合液中反应20~30 h，反应完成后清洗、干燥得到导电高分子/Nb₂O₅的异质结。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用原位聚合方法制备导电高分子/Nb₂O₅异质结是：将导电单体加入质子酸溶液中分散均匀，加入生长有Nb₂O₅纳米棒阵列的铌箔，静置1-4 h，混合液温度保持在-4~0℃；加入过硫酸铵到质子酸溶液中，配制成含过硫酸铵的质子酸溶液；再将含过硫酸铵的质子酸溶液加入到上述混合液中反应20~30 h，反应完成后清洗、干燥得到导电高分子/Nb₂O₅的异质结。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述导电单体与过硫酸铵的摩尔比为（0.25-4）:1。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述导电单体与过硫酸铵的摩尔比为（0.25-4）:1。

9.权利要求1~8任一所述的制备方法制备得到的导电高分子/ Nb₂O₅异质结。

10.权利要求9所述的导电高分子/ Nb₂O₅异质结在光电探测器中的应用。