[发明专利]化学机械抛光垫和抛光方法有效
| 申请号： | 201911065344.X | 申请日： | 2019-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN111136577B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | M·R·加丁科;M·T·伊斯兰;郭毅;G·C·雅各布 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/24 | 分类号： | B24B37/24;B24B1/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 地址： | 美国特*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化学 机械抛光 抛光 方法 | ||
1.一种对衬底进行化学机械抛光的方法，其包括：
提供所述衬底；
提供包含水和二氧化硅磨料的抛光浆料；
提供具有正ζ电势的化学机械抛光垫，所述抛光垫包括具有组合物和抛光表面的抛光层，其中所述组合物是包括以下项的成分的反应产物：
(a)具有平均至少两个未反应的异氰酸酯(NCO)基团/分子的多官能异氰酸酯；
(b)由羟基取代的季铵组成的第一固化剂；
(c)第二固化剂，其中所述第二固化剂不含季铵；以及，
(d)任选地，多个微元件；
其中，所述第一固化剂以基于所述第一固化剂和所述第二固化剂的总摩尔量等于或大于50mol％存在，并且其中在(b)和(c)的所述固化剂中的组合的反应性氢基团与在(a)的所述多官能异氰酸酯中的所述至少两个未反应的异氰酸酯(NCO)基团的化学计量比是0.8至1.1；并且
其中，所述正ζ电势在整个抛光垫的表面上是一致的并且与在2至12的pH范围内的pH无关，使用硝酸或氢氧化钾来调节去离子水的pH；
在所述抛光表面与所述衬底之间产生动力学运动，以抛光所述衬底的表面；以及
在所述抛光表面与所述衬底之间的界面处或界面附近将所述抛光浆料分配到所述化学机械抛光垫上。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一固化剂含有至少两个羟基基团/分子。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述第一固化剂含有至少三个羟基基团/分子。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述第二固化剂包含胺。
5.如权利要求3所述的方法，其中，所述第二固化剂含有小于0.1wt％的叔胺。
6.如权利要求4所述的方法，其中，所述胺是芳族胺。
7.如权利要求5所述的方法，其中，所述芳族胺是4，4′-亚甲基双(2-氯苯胺)(MBOCA)。
8.如权利要求1所述的方法，其中，所述季铵是三(2-羟乙基)甲基甲硫酸铵。
9.如权利要求1所述的方法，其中，所述二氧化硅磨料具有在1至6的抛光pH下测量的正表面电荷。
10.如权利要求1所述的方法，其中，所述抛光浆料具有3-5的pH。
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