[发明专利]超高功率限幅器

说明书

本发明适用于电子器件技术领域，提供了一种超高功率限幅器，包括：第一隔离模块、第一限幅模块、第二限幅模块和第二隔离模块；各个限幅模块分别包括至少两个二极管单元；第一隔离模块分别与第一限幅模块的第一端、第二限幅模块的第一端及第二隔离模块连接；第一限幅模块的各个二极管单元的正极分别与第一限幅模块的第一端连接，第二限幅模块的各个二极管单元的负极分别与第二限幅模块的第一端连接。本申请通过在第一限幅模块中并联多个二极管单元，能够降低二极管结电容，增加二极管数量，同时通过第二限幅模块的整流特性，提高限幅器的耐功率能力，进而提高超高功率限幅器的可靠性。

技术领域

本发明属于电子器件技术领域，尤其涉及一种超高功率限幅器。

背景技术

高功率微波(high power microwave，HPM)是指瞬时峰值功率超过100MW，辐射波长在厘米至毫米范围，即频率在0.3GHz～300GHz之间的相干电磁辐射源。在高功率微波武器的迅猛发展下，在电子对抗技术的日趋成熟下，当今电子设备所面临的电磁环境更加复杂，所受到的威胁更加巨大。高功率微波因其功率高、频率高等特性，对电子设备的干扰和危害极大，针对高功率微波武器的防护需求越来越迫切。

随着电子技术发展与半导体工艺的进步，接收链路的线性度越来越高。高耐功率高超高功率限幅器的应用需求巨大。传统HPM限幅器一般采用GaAs(砷化镓)限幅器，而GaAs限幅器耐功率低，无法满足高功率的要求。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种超高功率限幅器，以解决现有技术中限幅器耐功率低的问题。

本发明实施例提供了一种超高功率限幅器，包括：第一隔离模块、第一限幅模块、第二限幅模块和第二隔离模块；所述第一限幅模块和所述第二限幅模块分别包括至少两个二极管单元；

所述第一隔离模块的第一端为限幅输入端，所述第一隔离模块的第二端分别与所述第一限幅模块的第一端、所述第二限幅模块的第一端及所述第二隔离模块的第一端连接，所述第二隔离模块的第二端为限幅输出端；

所述第一限幅模块的各个二极管单元的正极分别与所述第一限幅模块的第一端连接，所述第二限幅模块的各个二极管单元的负极分别与所述第二限幅模块的第一端连接；所述第一限幅模块的各个二极管单元的负极、所述第二限幅模块的各个二极管单元的正极分别接地。

在一个实施例中，所述超高功率限幅器还包括输入匹配电路；

所述输入匹配电路的第一端与所述第一隔离模块的第二端连接，所述输入匹配电路的第二端与所述第一限幅模块的第一端连接。

在一个实施例中，所述超高功率限幅器还包括输出匹配电路；

所述输出匹配电路的第一端与所述第二限幅模块的第一端连接，所述输出匹配电路的第二端与所述第二隔离模块的第一端连接。

在一个实施例中，所述第一限幅模块包括6个二极管单元；所述第一限幅模块的各个二极管单元分别包括一个正极与所述第一限幅模块的第一端连接、负极接地的二极管。

在一个实施例中，所述第一限幅模块的各个二极管均为GaN PIN二极管。

在一个实施例中，所述第二限幅模块的各个二极管单元分别包括一个负极与所述第二限幅模块的第一端连接，正极接地的二极管。

在一个实施例中，所述第二限幅模块的各个二极管均为SiC肖特基二极管。

在一个实施例中，所述第一限幅模块与所述第二限幅模块之间的电长度大于预设电长度阈值。

在一个实施例中，所述超高功率限幅器还包括第三隔离模块，所述第三隔离模块的第一端与所述第一限幅模块的第一端连接，所述第三隔离模块的第二端与所述第二限幅模块的第一端连接。