[发明专利]参考电压产生器及参考电压产生器的操作方法

权利要求书

1.一种参考电压产生器，其特征在于，包括：

输出端，用以输出参考电压；

电流源，耦接于所述输出端，用以产生参考电流；

参考电路，耦接于所述输出端，用以根据所述参考电流产生所述参考电压；

保护电路，耦接于所述输出端，用以将所述输出端的电压调整至操作电压；及

控制电路，耦接于所述参考电路及所述保护电路，用以根据起始信号控制所述参考电路及所述保护电路；

其中所述参考电路包括：

第一N型晶体管，具有耦接于所述输出端的第一端，第二端，及耦接于所述第一N型晶体管的所述第一端的控制端；及

第二N型晶体管，具有耦接于所述第一N型晶体管的所述第二端的第一端，用以接收第一系统电压的第二端，及耦接于所述控制电路的第一输出端的控制端；及

所述保护电路包括：

第三N型晶体管，具有耦接于所述输出端的第一端，第二端，及耦接于所述第三N型晶体管的所述第一端的控制端；及

第四N型晶体管，具有耦接于所述第三N型晶体管的所述第二端的第一端，用以接收所述第一系统电压的第二端，及耦接于所述控制电路的第二输出端的控制端。

2.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于当所述控制电路接收到所述起始信号时：

所述控制电路致能所述保护电路以将所述输出端的电压调整至所述操作电压；及

在所述保护电路被致能之后，所述控制电路致能所述参考电路以产生所述参考电压，及使所述保护电路失能。

3.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于所述第三N型晶体管及所述第四N型晶体管的面积小于所述第一N型晶体管及所述第二N型晶体管的面积。

4.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于所述第三N型晶体管及所述第四N型晶体管的面积大于所述第一N型晶体管及所述第二N型晶体管的面积。

5.如权利要求1所述的参考电压产生器，其特征在于所述输出端耦接于感测放大器，所述感测放大器用以比较所述参考电压及内存单元所产生的读取电压。

6.一种操作参考电压产生器的方法，其特征在于，所述参考电压产生器包括电流源、参考电路及保护电路，所述方法包括：

致能所述电流源以产生参考电流至输出端；

致能所述保护电路以使所述输出端的电压调整至操作电压；

致能所述参考电路以根据所述参考电流经由所述输出端输出参考电压；及

使所述保护电路失能；

其中所述参考电路包括：

第一N型晶体管，具有耦接于所述输出端的第一端，第二端，及耦接于所述第一N型晶体管的所述第一端的控制端；及

第二N型晶体管，具有耦接于所述第一N型晶体管的所述第二端的第一端，用以接收第一系统电压的第二端，及耦接于控制电路的第一输出端的控制端；

所述保护电路包括：

第三N型晶体管，具有耦接于所述输出端的第一端，第二端，及耦接于所述第三N型晶体管的所述第一端的控制端；及

第四N型晶体管，具有耦接于所述第三N型晶体管的所述第二端的第一端，用以接收所述第一系统电压的第二端，及耦接于所述控制电路的第二输出端的控制端；及

所述控制电路耦接于所述参考电路及所述保护电路，用以根据起始信号控制所述参考电路及所述保护电路。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：

致能所述参考电路以根据所述参考电流经由所述输出端输出所述参考电压是在致能所述保护电路以使所述输出端的电压调整至所述操作电压之后执行；及

使所述保护电路失能及致能所述参考电路以根据所述参考电流经由所述输出端输出所述参考电压是同步执行。