[发明专利]有机发光二极体器件和其制作方法

说明书

本发明提供一种有机发光二级体器件和其制作方法，改善传统有机发光二级体器件的结构，辅助阴极被制作在隔墙上，而不是被制作在阴极层上，因此，所述辅助阴极的线宽能够被精确地控制，进而有效降低IR drop，避免所述辅助阴极因其线宽过宽而影响所述有机发光二级体器件的品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极体器件和其制作方法。

背景技术

有机发光二极体(organic light-emitting diode,OLED)器件以其自发光、全固态、高对比等优点，成为近年来最具潜力的新型显示器件。

在顶发射的OLED器件中，阳极通常使用较薄的透明金属来制作以实现与屏幕边缘电路的连接，然而，当屏幕尺寸较大时，屏幕中心区域由于离电极接口较远，长距离的电流传输会使阴极分压增大，从而造成屏幕边缘和屏幕中心OLED元件中注入的载流子数目有差异，即有压降(IR drop)的问题，不仅会导致屏幕中心发暗，还会导致能耗增加。

目前解决IR drop的方法是在顶发射OLED的阴极上制作辅助阴极，然而，目前顶发射OLED的阴极的材料主要为镁和银，使得沉积在其上的辅助阴极的材料具有优良的铺展性，容易造成沉积在阴极上的辅助阴极线宽过宽、线高过高，不符合使用需求。

发明内容

鉴于现有技术的不足，本发明提供一种有机发光二极体器件和其制作方法以改善及调控辅助阴极的线宽，降低其方阻值，更好的改善IR Drop的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种有机发光二极体器件，包括：衬底；薄膜电晶体电路层，所述薄膜电晶体电路层设置于所述衬底之上；复数个隔墙，所述复数个隔墙彼此間隔并设置于所述薄膜电晶体电路层之上；复数个辅助阴极层，所述复数个辅助阴极层设置于所述复数个隔墙之上；复数个阳极层，所述复数个阳极层设置于所述薄膜电晶体电路层之上并位于所述复数个隔墙之间；复数个有机发光器件层，所述复数个有机发光器件层设置于所述复数个阳极层之上且位于所述复数个隔墙之间；电子传输层，所述电子传输层设置于所述复数个辅助阴极层以及所述复数个有机发光器件层之上并覆盖所述复数个辅助阴极层、所述复数个有机发光器件层和所述复数个隔墙；以及阴极层，所述阴极层设置于所述电子传输层之上并覆盖所述电子传输层。

所述复数个辅助阴极层为使用纳米银所制作的复数条纳米银线。

所述复数条纳米银线的宽度不大于35μm。

所述复数个隔墙的材料包括疏水性树酯。

所述复数个有机发光器件层还包括空穴注入层、空穴传输层以及有机发光层。

为了解决上述问题，本发明还提供一种有机发光二极体器件的制作方法，包括以下步骤：S1：提供衬底，制作薄膜电晶体电路层在所述衬底之上，制作复数个隔墙在所述薄膜电晶体电路层之上，所述复数个隔墙彼此间隔；S2：制作复数个辅助阴极层在所述复数个隔墙之上；S3：制作复数个阳极层在所述薄膜电晶体电路层之上和所述复数个隔墙之间，制作复数个有机发光器件层在所述复数个阳极层之上和所述复数个隔墙之间；S4：制作电子传输层在所述复数个辅助阴极层和所述复数个有机发光器件层之上，所述电子传输层覆盖所述复数个辅助阴极层、所述复数个有机发光器件层和所述复数个隔墙；以及S5：制作阴极层在所述电子传输层之上，所述阴极层覆盖所述电子传输层。

所述复数个辅助阴极层为使用纳米银所制作的复数条纳米银线。

所述复数条纳米银线的宽度不大于35μm。

所述复数个辅助阴极层的制作方式包括：在所述复数个隔墙上每隔一定距离滴下所述纳米银，所述一定距离为25～35μm，并在温度范围90～150℃的环境下烘烤所述纳米银30～60分钟，形成所述复数条纳米银线。

所述复数个隔墙的材料包括疏水性树酯。