[发明专利]一种基于碲化镉荧光印迹材料的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种基于碲化镉荧光印迹材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：

步骤1、将碲粉、硼氢化钠加入去离子水A中，在冰浴中进行第一次搅拌，得到前驱体碲氢化钠溶液；将氯化镉、巯基丙酸溶解在去离子水B中，得到混合液，用NaOH溶液调节pH值，进行第二次搅拌反应，通N2除氧后的混合溶液，加入前驱体碲氢化钠溶液中，进行第三次搅拌、在一定温度条件下进行回流，最后加入异丙醇终止反应，得到的溶液放入真空干燥箱中干燥，干燥后的产物再用丙酮沉淀、离心、洗涤，得到红色碲化镉量子点，记为r-QDs，并保存在去离子水C中，得到r-QDs溶液；

步骤2、将碲粉、硼氢化钠加入去离子水D中，在冰浴中进行第一次搅拌，得到前驱体碲氢化钠溶液；将氯化镉、巯基丙酸溶解在去离子水E中，得到混合液，用NaOH溶液调节pH值，进行第二次搅拌反应；通N2除氧的混合溶液，加入前驱体碲氢化钠溶液中，进行第三次搅拌，在一定温度条件下进行回流，最后加入异丙醇终止反应得到的溶液放入真空干燥箱中干燥，干燥后的产物再用丙酮沉淀、离心、洗涤，得到绿色碲化镉量子点，记为g-QDs，并保存在去离子水F中，得到g-QDs溶液；

步骤3、将乙醇A、r-QDs溶液、氨水加入去离子水中，进行第一次搅拌反应；然后再加入乙醇B、正硅酸四乙酯，进行第二次搅拌，最后再加入3-氨基三乙氧基硅烷，进行第三次搅拌，经乙醇和水清洗后进行离心，得到固体产物再经真空干燥，得到氨基修饰的r-QDs量子点表面包裹二氧化硅球，记为NH₂-SiO₂@r-QDs；

步骤4、将步骤2得到的g-QDs溶液加入碳二亚胺/琥珀酰亚胺混合溶液中，进行第一次搅拌反应；再加入步骤3制备的NH₂-SiO₂@r-QDs、2-(N-吗啡啉)乙磺酸，进行第二次搅拌；搅拌后在避光条件下反应一段时间，反应后的产物经乙醇和水清洗、离心，离心后的产物再次清洗、离心；如此多次重复后得到的产物，再经干燥得到最终产物，记为g-QDs@NH₂-SiO₂@r-QDs，保存在PBS缓冲溶液中，备用；

步骤5、将邻苯二甲酸二(2-乙基己基)酯、g-QDs@NH₂-SiO₂@r-QDs、正硅酸四乙酯、3-氨基三乙氧基硅烷加入乙醇中，进行第一次搅拌；然后加入氨水进行第二次搅拌反应；反应结束后进行离心，得到固体产物，经乙醇/乙酸混合液清洗、真空干燥，得到碲化镉荧光印迹材料，记为MIPs@g/r-QDs。

2.根据权利要求1所述的一种基于碲化镉荧光印迹材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述第一次搅拌的时间为4～10h；第二次搅拌的时间为10～30min；第三次搅拌的时间为0.5～2h；所述回流温度80-130℃，回流时间为1～3h；所述NaOH溶液浓度为1～3M，pH调节为10-12。

3.根据权利要求1所述的一种基于碲化镉荧光印迹材料的制备方法，其特征在于，步骤1中，所述碲粉、硼氢化钠、去离子水A的用量比为0.08-0.15g:0.10-0.30g:4mL；所述碲粉、氯化镉、巯基丙酸、去离子水B、异丙醇和去离子水C的用量比为0.08-0.15g:0.08-0.16g:50uL:200mL：50-100mL：10mL。

4.根据权利要求1所述的一种基于碲化镉荧光印迹材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述第一次搅拌的时间为4～10h；第二次搅拌的时间为10～30min；所述回流温度80-130℃；第三次搅拌的时间为0.5～2h；所述NaOH溶液浓度为1～3M，pH调节为9-10。

5.根据权利要求1所述的一种基于碲化镉荧光印迹材料的制备方法，其特征在于，步骤2中，所述碲粉、硼氢化钠、去离子水D的用量比为0.18-0.25g:0.20-0.40g:4mL；所述碲粉、氯化镉、巯基丙酸、去离子水E、异丙醇和去离子水F的用量比为0.08-0.25g:0.08-0.16g:50uL：200mL:50-100mL：10mL。