[发明专利]静电电容式接近传感器有效
| 申请号: | 201911015149.6 | 申请日: | 2019-10-24 |
| 公开(公告)号: | CN111473809B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 久保守 | 申请(专利权)人: | 东京零件工业股份有限公司 |
| 主分类号: | G01D5/241 | 分类号: | G01D5/241;H03K17/955 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 电容 接近 传感器 | ||
1.一种静电电容式接近传感器,具备:
振荡单元,输出高频信号;
LCR共振电路,包含传感器电极,被输入所述高频信号;
传感器电路,输出与所述传感器电极的电容相应的判定电压信号;以及
控制部,基于所述判定电压信号检测人体向所述传感器电极的接近,其中,在该静电电容式接近传感器中,
所述控制部进行控制校正步骤与检测步骤的执行的步骤控制,
所述步骤控制作为通常例程包括交替地重复执行所述校正步骤与所述检测步骤的控制,
在所述校正步骤中,
在每次执行所述校正步骤时,为了对物体未接近所述传感器电极时的所述LCR共振电路的共振频率fres进行检测,所述高频信号的频率如以下那样变更,
在将第n-1次校正步骤中的所述高频信号的频率设为fn-1,将所述判定电压信号设为Vn-1,
将第n次校正步骤中的所述高频信号的频率设为fn,将所述判定电压信号设为Vn,
将第n+1次校正步骤中的所述高频信号的频率设为fn+1,将所述判定电压信号设为Vn+1时,
在Vn>Vn-1且fn>fn-1的情况下,设定为fn+1>fn,
在Vn>Vn-1且fn<fn-1的情况下,设定为fn+1<fn,
在Vn<Vn-1且fn>fn-1的情况下,设定为fn+1<fn,
在Vn<Vn-1且fn<fn-1的情况下,设定为fn+1>fn,
在检测到所述共振频率fres的情况下,基于所述共振频率fres设定检测频率f1,并且基于将所述共振频率fres的高频信号输入到所述LCR共振电路时的判定电压信号Vres设定第一阈值Vth1,
在所述检测步骤中,
基于在将所述检测频率f1的所述高频信号输入到所述LCR共振电路的状态下检测到的所述判定电压信号与所述第一阈值Vth1的比较结果,检测人体向所述传感器电极的接近。
2.如权利要求1所述的静电电容式接近传感器,其中,
在所述校正步骤中,
在Vn>Vn-1且Vn+1≒Vn的情况下,
视为所述共振频率fres处于fn与fn+1的附近。
3.如权利要求1所述的静电电容式接近传感器,其中,
在所述校正步骤中,
在将第n+2次校正步骤中的所述高频信号的频率设为fn+2时,
在Vn>Vn-1且Vn+1≒Vn且fn+1>fn的情况下,
设定为fn+2>fn+1,
在Vn>Vn-1且Vn+1≒Vn且fn+1<fn的情况下,
设定为fn+2<fn+1。
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