[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201911011635.0 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN111696594B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 李釉钟 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;阮爱青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
一种半导体器件包括驱动控制电路和写入控制电路。驱动控制电路基于锁存命令来产生预驱动控制信号和驱动控制信号,并且基于模式锁存命令来产生模式驱动控制信号。写入控制电路储存从基于预驱动控制信号和驱动控制信号而输入的数据产生的驱动数据,或者储存基于模式驱动控制信号而被驱动至预定逻辑电平的驱动数据。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年3月14日提交的申请号为10-2019-0029334的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开的实施例总体而言涉及被配置为执行写入操作的半导体器件。
背景技术
诸如动态随机存取存储(DRAM)器件的半导体器件执行写入操作和读取操作。写入操作是用于将数据储存在包括由地址选中的单元阵列的存储体中的操作,并且读取操作是用于输出储存在存储体中所包括的单元阵列中的数据的操作。
发明内容
根据一个实施例,一种半导体器件可以包括驱动控制电路和写入控制电路。驱动控制电路可以被配置为基于锁存命令来产生预驱动控制信号和驱动控制信号,并且被配置为基于模式锁存命令来产生模式驱动控制信号。写入控制电路可以被配置为储存基于预驱动控制信号和驱动控制信号而从输入的数据产生的驱动数据,或者被配置为储存基于模式驱动控制信号而被驱动至预定逻辑电平的驱动数据。
根据一个实施例,一种半导体器件可以包括锁存命令发生器和驱动控制电路。锁存命令发生器可以被配置为在写入操作期间从写入命令产生锁存命令,并且可以被配置为在模式写入操作期间从模式写入命令产生模式锁存命令。驱动控制电路可以被配置为在写入操作期间基于锁存命令来产生预驱动控制信号和驱动控制信号,并且可以被配置为在模式写入操作期间基于模式锁存命令来产生模式驱动控制信号。
附图说明
图1是示出根据本公开的一个实施例的半导体器件的配置的框图。
图2是示出用于在图1的半导体器件中产生模式写入命令和模式输入标志的操作的图表。
图3是示出图1的半导体器件中所包括的锁存命令发生器的示例的示意图。
图4是示出图1的半导体器件中所包括的驱动控制电路的示例的框图。
图5是示出图1至图4中所示的半导体器件的操作的时序图。
图6是示出图1的半导体器件中所包括的写入控制电路的示例的框图。
图7是示出图6的写入控制电路中所包括的驱动器的示例的电路图。
图8是示出图6的写入控制电路中所包括的驱动器的另一个示例的电路图。
图9是示出图6中所示的写入控制电路的操作的时序图。
图10是示出采用图1中所示的半导体器件的电子系统的配置的框图。
具体实施方式
在下文中将参考附图来描述本公开的各种实施例。然而,本文中所描述的实施例仅用于说明性目的,而非旨在限制本公开的范围。
如本文中关于信号所使用的高电平和低电平指代信号的逻辑电平。具有低电平的信号有别于当其具有高电平时的信号。例如,高电平可以对应于具有第一电压的信号,而低电平可以对应于具有第二电压的信号。对于一些实施例,第一电压大于第二电压。此外,信号的逻辑电平可以与所描述的逻辑电平不同或相反。例如,被描述为具有逻辑“高”电平的信号可以可选地具有逻辑“低”电平,而被描述为具有逻辑“低”电平的信号可以可选地具有逻辑“高”电平。
此外,可以修改用于实现相同功能或操作所需的一个或多个逻辑门的配置。也就是说,根据特定情况,一种类型的操作的逻辑门配置和用于相同类型的操作的另一种逻辑门配置可以彼此替换。如果需要的话,可以应用各种逻辑门来实现该配置。
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