[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201911011635.0 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN111696594B | 公开(公告)日: | 2023-09-05 |
发明(设计)人: | 李釉钟 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;阮爱青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
驱动控制电路,其被配置为基于锁存命令来产生预驱动控制信号和驱动控制信号,并且被配置为基于模式锁存命令来产生模式驱动控制信号;以及
写入控制电路,其被配置为将基于所述预驱动控制信号和所述驱动控制信号而从通过数据焊盘输入的数据产生的驱动数据储存在单元阵列中,并且被配置为将基于所述模式驱动控制信号而被驱动至预定逻辑电平的所述驱动数据储存在所述单元阵列中。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,在基于所述预驱动控制信号和所述驱动控制信号而从通过所述数据焊盘输入的数据产生所述驱动数据之后,基于所述模式驱动控制信号而将所述驱动数据驱动至所述预定逻辑电平。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,由所述写入控制电路来顺序地执行基于所述预驱动控制信号和所述驱动控制信号而产生所述驱动数据以及基于所述模式驱动控制信号而产生达到所述预定逻辑电平的所述驱动数据。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述驱动控制电路包括:
预驱动控制信号发生电路,其被配置为在产生所述锁存命令时产生所述预驱动控制信号;
驱动控制信号发生电路,其被配置为在产生所述锁存命令时产生所述驱动控制信号;以及
模式驱动控制信号发生电路,其被配置为在产生所述模式锁存命令时产生所述模式驱动控制信号。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述写入控制电路包括:
预驱动器,其被配置为在产生所述预驱动控制信号时基于所述数据来驱动预数据;以及
驱动器,其被配置为在产生所述驱动控制信号或所述模式驱动控制信号时基于所述预数据来驱动所述驱动数据。
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述锁存命令是通过在写入操作期间锁存写入命令而产生的,所述写入操作将从所述数据产生的所述驱动数据储存在所述单元阵列中。
7.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述模式锁存命令是通过在模式写入操作期间锁存模式写入命令而产生的,所述模式写入操作将被驱动至预定逻辑电平的所述驱动数据储存在所述单元阵列中。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括锁存命令发生器,其被配置为基于写入脉冲、移位写入脉冲和模式输入标志来从写入命令和模式写入命令产生所述锁存命令和所述模式锁存命令。
9.根据权利要求8所述的半导体器件,
其中,所述写入命令是在写入操作期间产生的,所述写入操作将从所述数据产生的所述驱动数据储存在所述单元阵列中;以及
其中,所述模式写入命令是在模式写入操作期间产生的,所述模式写入操作将被驱动至预定逻辑电平的所述驱动数据储存在所述单元阵列中。
10.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,所述写入脉冲是在所述写入操作或所述模式写入操作期间产生的。
11.根据权利要求10所述的半导体器件,其中,通过将所述写入脉冲移位写入潜伏时间来产生所述移位写入脉冲。
12.根据权利要求9所述的半导体器件,其中,所述模式输入标志是在所述模式写入操作期间产生的。
13.根据权利要求8所述的半导体器件,其中,所述锁存命令发生器包括锁存命令管道,所述锁存命令管道被配置为基于从所述写入脉冲产生的输入控制信号来锁存所述写入命令并且被配置为基于从所述移位写入脉冲产生的输出控制信号来输出被锁存的写入命令作为所述锁存命令。
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